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BYV40E-150,115产品参数
型号:BYV40E-150,115
生命周期:Active
IHS 制造商:WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD
包装说明:R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:6 weeks
风险等级:5.65
应用:ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G4
最大非重复峰值正向电流:6.6 A
元件数量:2
相数:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
参考标准:IEC-134
最大重复峰值反向电压:150 V
最大反向电流:10 µA
最大反向恢复时间:0.025 µs
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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