CSD19501KCS产品参数

品牌：Texas Instruments

描述：MOSFET N-CH 80V 100A TO220

详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Ta） 217W（Tc） TO-220-3

制造商：Texas Instruments

系列：NexFET™

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.6 毫欧 @ 60A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：50nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：3980pF @ 40V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：217W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220-3

封装/外壳：TO-220-3

标准包装：50

其它名称：296-37286-5 CSD19501KCS-ND