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CSD19536KCS产品参数和技术文档

CSD19536KCS产品图

CSD19536KCS产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
5.31000
$5.31
10
4.74100
$47.41
100
3.88750
$388.75
500
3.14794
$1,573.97
1,000
2.65489
$2,654.89

CSD19536KCS产品参数

品牌:Texas Instruments

描述:MOSFET N-CH 100V TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 100V 150A(Ta) 375W(Tc) TO-220-3

制造商:Texas Instruments

系列:NexFET™

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):150A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):2.7 毫欧 @ 100A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):153nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):12000pF @ 50V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):375W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220-3

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:50

其它名称:296-37289-5

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