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CY25AAJ-8F产品参数
型号:CY25AAJ-8F
生命周期:Transferred
IHS 制造商:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.38
集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值:1.5 V
门极-发射极最大电压:8 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
元件数量:1
端子数量:8
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
晶体管应用:GENERAL PURPOSE SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
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