芯片CY62128LL-70SI的概述
CY62128LL-70SI是一款由赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor)生产的高性能静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片属于低功耗类型,旨在满足各种需要快速读取和写入操作的电子设备的要求。它通常被应用于扩展内存、缓存存储器等领域,广泛用于通信、汽车、工业控制和消费电子产品。
这款SRAM的主要优势在于其快速访问时间、低功耗和动态读写能力。CY62128LL-70SI可以在多种运行条件下稳定工作,适合高频率的运算需求。其设计符合尖端电子设备中对性能和能效的要求,因此在市场上受到广泛欢迎。
芯片CY62128LL-70SI的详细参数
CY62128LL-70SI的详细参数如下:
- 存储容量:128 Kbit - 存储类型:静态随机存取存储器 (SRAM) - 访问时间:70 ns(最高) - 工作电压:2.7V 至 3.6V - 功耗:在工作状态下为最大 20 mA;在待机模式下低至 1 µA - 封装类型:SOIC (Small Outline Integrated Circuit) - 工作温度范围:-40°C 至 +85°C - 数据接口:基于并行数据传输
此外,CY62128LL-70SI还具有较好的可靠性和耐用性,适合严苛的工作环境,确保了数据的安全性和完整性。
芯片CY62128LL-70SI的厂家、包装、封装
CY62128LL-70SI由赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor)生产。作为一家全球知名的半导体制造商,赛普拉斯已在存储器技术方面积累了丰富的经验。赛普拉斯的产品线涵盖了多种存储器和微控制器,企业致力于提供高质量和高效能的半导体解决方案。
在包装方面,CY62128LL-70SI采用了SOIC封装,具体封装规格为16引脚。SOIC封装具有较小的体积和较轻的重量,方便在各种设备上的集成。该封装设计使得安装和散热都较为方便,尤其适合在空间受限的应用中使用。
芯片CY62128LL-70SI的引脚和电路图说明
CY62128LL-70SI的引脚配置如下:
1. A0-A16:地址引脚,用于选择内存单元。 2. D0-D7:数据引脚,提供8位数据输入和输出。 3. WE(写使能):写使能信号,低电平时允许写入数据。 4. OE(输出使能):输出使能信号,低电平时允许数据输出。 5. CE(片选):片选信号,低电平时使能该芯片工作。 6. VCC:电源引脚,提供芯片所需的工作电压。 7. GND:地引脚,电路的公共接地。
电路图的设计通常根据具体应用而有所变化,但基本的配置需要确保正确连接地址和数据引脚,提供稳定的电源,以及确保控制信号的准确性,这些都是实现正确操作的关键。
芯片CY62128LL-70SI的使用案例
在实际应用中,CY62128LL-70SI可广泛用于各种电子设备。例如,在通信设备中,该SRAM可以作为缓存存储器,提升数据处理速度。在汽车电子中,CY62128LL-70SI可以用于实时数据采集和处理。例如,汽车上的发动机控制单元(ECU)常常需要快速访问车辆各种传感器的数据,这就需要高速度和低延迟的存储器。
针对工业控制系统,CY62128LL-70SI也能通过提高数据处理效率,优化设备性能。在这种情况下,SRAM可能用于控制算法的实时数据存储,以满足高度精准和快速响应的需求。
在消费电子方面,例如在数字显示器和计算机外围设备中,CY62128LL-70SI可用于提高前端处理功能。他如在家用电器中的微处理器中作为程序存储使用,提供对运行程序的快速访问。
结合这些应用案例,可以看出CY62128LL-70SI的灵活性和性能,使其在现代电子设备中具备了不可替代的作用。尽管技术在不断进步,CY62128LL-70SI凭借其独特的优势,仍将保持其在市场中的重要地位。
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型号: | CY62128LL-70SI |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32 |
针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.21 |
最长访问时间: | 70 ns |
其他特性: | TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; AUTOMATIC POWER DOWN; LOW POWER STANDBY MODE |
I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX8 |
输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP32,.56 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.00002 A |
最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.06 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
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