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  • CYD36S18V18-200BGXC图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 数量22000 
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • CYD36S18V18-200BGXC
  • 数量1001 
  • 厂家CYPRESS 
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 厂家Cypress 
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  • 绿盛电子(香港)有限公司

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  • 数量2015 
  • 厂家CYPRESS 
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  • 批号19889 
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  • 深圳市斌腾达科技有限公司

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  • 数量5280 
  • 厂家Cypress Semiconductor Corp 
  • 封装484-FBGA 
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CYD36S36V18-133BBI产品参数
型号:CYD36S36V18-133BBI
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码:BGA
包装说明:23 X 23 MM, 2.03 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-484
针数:484
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.84
最长访问时间:4.5 ns
JESD-30 代码:S-PBGA-B484
JESD-609代码:e0
长度:23 mm
内存密度:37748736 bit
内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM
内存宽度:36
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:484
字数:1048576 words
字数代码:1000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:1MX36
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA
封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.16 mm
最大供电电压 (Vsup):1.58 V
最小供电电压 (Vsup):1.42 V
标称供电电压 (Vsup):1.5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:23 mm
Base Number Matches:1
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