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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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产品型号DA108S1RL的概述

概述 DA108S1RL是一款专为音频应用设计的高性能数字信号处理芯片,广泛应用于智能音箱、蓝牙音响、车载音响等多种消费电子产品中。该芯片集成了优化的音频处理算法,可以实现高保真音质、低失真率和低噪声输出,提升用户的听觉体验。 DA108S1RL的主要目标是满足市场对小型、高效能音频解决方案的需求。随着消费者对音质和使用便捷性的要求不断提高,DA108S1RL凭借其优越的性能在众多竞争产品中脱颖而出。 详细参数 DA108S1RL的详细参数如下: 1. 音频性能 - 输入增益范围:0 dB至+30 dB - 输出功率:最大输出功率可达2W(为8Ω负载下) - 信噪比(SNR):≥105 dB - 总谐波失真(THD):≤0.01% - 频率响应:20Hz至20kHz 2. 电源要求 - 工作电压:3.3V至5V - 功耗:待机功耗...

产品型号DA108S1RL的Datasheet PDF文件预览

DA108S1  
DA112S1  
ASD (Application Specific Devices)  
Diode Array  
Main applications  
Protection of logic side of ISDN S-interface  
Protection of I/O lines of microcontroller  
Signal conditioning  
Features  
Array of 8 or 12 diodes  
Low input capacitance  
Suitable for digital line protection  
SO-8  
Functional diagram: DA108S1  
Description  
ARRAY of 8 or 12 diodes configured by cells of 2  
diodes, each cell being used to protect signal line  
from transient overvoltages by clamping action.  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
I/O4  
REF1  
REF2  
REF3  
REF4  
COMPLIES WITH FOLLOWING  
STANDARDS :  
IEC 61000-4-2 Level 4:  
15kV (air discharge)  
8kV (contact discharge)  
Functional diagram: DA112S1  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
I/O4  
1
2
3
4
8
7
6
5
REF1  
I/O6  
REF2  
I/O5  
February 2007  
Rev 5  
1/8  
www.st.com  
Characteristics  
DA108S1 / DA112S1  
1
Characteristics  
Table 1.  
Symbol  
Absolute maximum ratings (T  
= 25 °C)  
amb  
Parameter  
Value  
Unit  
V
Repetitive peak reverse voltage (for one single diode)  
Repetitive peak forward current (see Note 1)  
Power dissipation  
200  
100  
V
A
RRM  
IPP  
8/20 µs  
P
0.73  
W
°C  
°C  
°C  
Tstg  
Tj  
Storage temperature range  
-55 to + 150  
150  
Maximum operating junction temperature  
Maximum lead temperature for soldering during 10 s.  
TL  
260  
Note:  
Table 2.  
1
The surge is repeated after the device returns to ambient temperature  
Thermal resistances  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Rth (j-a)  
Junction to ambient  
170  
°C/W  
1.  
Table 3.  
Symbol  
Electrical characteristics(T  
= 25 °C)  
amb  
Parameter  
Max.  
Unit  
DA108S1  
DA112S1  
9
12  
1.2  
2
IR  
Peak forward voltage  
Forward voltage  
IPP = 12 A, 8/20 µS  
V
VF  
IR  
IF = 50 mA  
VR = 15 V  
V
Reverse leakage current  
µA  
2/8  
DA108S1 / DA112S1  
Figure 1.  
Characteristics  
Input capacitance  
VCC connected between REF1 and REF2  
Input applied :  
C (pF)  
Typical values  
36  
34  
32  
30  
28  
26  
24  
22  
DC bias + 950 mV  
at 1 MHZ  
(RMS)  
V
V
= 5 V  
= 15 V  
CC  
CC  
REF2  
I/O  
V
CC  
G
REF1  
0
2
4
6
8
10 12 14 16  
DC bias (V)  
Figure 2.  
Typical peak forward voltage characteristics (8/20 µs pulse  
VF(V)  
VF(V)  
Typical values  
Typical values  
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
10.0  
9.0  
8.0  
7.0  
6.0  
5.0  
4.0  
3.0  
2.0  
1.0  
0.0  
Tj = 25 o  
C
Tj = 25 o  
C
0.001  
0.01  
0.1  
1
20  
1
10  
IF(A)  
IF(A)  
3/8  
Characteristics  
DA108S1 / DA112S1  
Figure 3.  
APPLICATION 1: ISDN Interface ProtectionResidual lightning surges at  
transformer secondary are suppressed by DA108S1  
Vcc  
LOGIC SIDE  
LINE SIDE  
A
GND  
Vcc  
TPIxx  
Vss  
Vcc  
B
Vss  
A
GND  
TPIxx  
Vcc  
Vss  
B
Vss  
DA1xxS1  
Figure 4.  
APPLICATION 2: Microcontroller I/O port protection  
Vcc  
Vcc  
4-6 bit input port  
I/O  
Vcc  
I/O  
I/O  
Vcc  
μc  
Vcc  
I/O  
DA1xxS1  
Note:  
IMPORTANT : DA108S1 must imperatively be connected to the reference voltages by REF1  
and REF2.  
4/8  
DA108S1 / DA112S1  
Ordering information scheme  
2
Ordering information scheme  
DA 1 08 S 1 RL  
Diode Array  
Version  
Number of diodes  
08 = 12  
12 = 12  
Serial  
Package  
1 = SO-8  
Packaging  
RL = Tape & reel  
Blank = Tube  
5/8  
Package mechanical data  
DA108S1 / DA112S1  
3
Package mechanical data  
Epoxy meets UL94, V0  
Table 4. SO-8 Dimensions  
Dimensions  
Millimeters  
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.  
ccc C  
Ref.  
Inches  
A
A2  
A1  
e
b
A
1.75  
0.069  
0.010  
A1  
0.1  
0.25 0.004  
0.049  
C
h x 45°  
(Seating  
Plane)  
A2 1.25  
0.25mm  
(Gage Plane)  
b
C
D
E
0.28  
0.17  
0.48 0.011  
0.23 0.007  
0.019  
0.009  
C
L
k
4.80 4.90 5.00 0.189 0.193 0.197  
5.80 6.00 6.20 0.228 0.236 0.244  
L1  
D
E1 3.80 3.90 4.00 0.150 0.154 0.157  
e
h
1.27  
0.050  
0.25  
0.40  
0.50 0.010  
1.27 0.016  
0.020  
0.050  
8
5
L
E
E1  
L1  
k°  
ccc  
1.04  
0.041  
4
1
0
8
0
8
0.10  
0.004  
In order to meet environmental requirements, ST offers these devices in ECOPACK®  
packages. These packages have a lead-free second level interconnect. The category of  
second level interconnect is marked on the package and on the inner box label, in  
compliance with JEDEC Standard JESD97. The maximum ratings related to soldering  
conditions are also marked on the inner box label. ECOPACK is an ST trademark.  
ECOPACK specifications are available at: www.st.com.  
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DA108S1 / DA112S1  
Ordering information  
4
Ordering information  
Part number  
Marking  
Package  
Weight  
Base qty  
Delivery mode  
DA108S1  
DA108S1RL  
DA112S1  
100  
2500  
100  
Tube  
DA108S  
Tape and reel(1)  
SO-8  
0.11 g  
Tube  
DA112S  
DA112S1RL  
2500  
Tape and reel(1)  
1. Preference packaging is tape and reel  
5
Revision history  
Date  
Revision  
Changes  
Aug-2001  
4
Last release.  
Reformatted to current standard.  
Standard typing error corrected.  
15-Feb-2007  
5
7/8  
DA108S1 / DA112S1  
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www.st.com  
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配单直通车
DA108S1RL产品参数
型号:DA108S1RL
Brand Name:STMicroelectronics
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包装代码:SOD
包装说明:R-PDSO-G8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
Factory Lead Time:9 weeks
风险等级:1.56
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
Samacsys PartID:683299
Samacsys Pin Count:8
Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name:SO8 (150 mils width)
Samacsys Released Date:2020-02-07 02:58:31
Is Samacsys:N
其他特性:LOW CAPACITANCE
配置:COMPLEX
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4
湿度敏感等级:1
元件数量:8
端子数量:8
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.73 W
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:18 V
最大反向电流:2 µA
反向测试电压:15 V
子类别:Other Diodes
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1
  •  
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  • 数量*
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  • 封装
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