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DG2015DN-T1产品参数
型号:DG2015DN-T1
是否无铅: 含铅
生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFN
包装说明:VQCCN,
针数:16
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.82
模拟集成电路 - 其他类型:SPDT
JESD-30 代码:S-CQCC-N16
JESD-609代码:e0
长度:4 mm
信道数量:1
功能数量:2
端子数量:16
标称断态隔离度:67 dB
通态电阻匹配规范:0.15 Ω
最大通态电阻 (Ron):1.6 Ω
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:VQCCN
封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1 mm
最大供电电压 (Vsup):3.3 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
最长断开时间:60 ns
最长接通时间:65 ns
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD
端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:4 mm
Base Number Matches:1
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