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| 型号: | DG2535DN-T1-E3 |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DFN |
| 包装说明： | HVSON, LCC10(UNSPEC) |
| 针数： | 10 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.73 |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | SPDT |
| JESD-30 代码： | S-XDSO-N10 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 3 mm |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 正常位置： | NO/NC |
| 信道数量： | 1 |
| 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 10 |
| 标称断态隔离度： | 69 dB |
| 通态电阻匹配规范： | 0.05 Ω |
| 最大通态电阻 (Ron)： | 0.5 Ω |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 输出： | SEPARATE OUTPUT |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | HVSON |
| 封装等效代码： | LCC10(UNSPEC) |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1 mm |
| 子类别： | Multiplexer or Switches |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 最长断开时间： | 73 ns |
| 最长接通时间： | 82 ns |
| 切换： | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 3 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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