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| 型号: | DG458DJ-E3 |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | VISHAY SILICONIX |
| 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 |
| 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.67 |
| 其他特性： | ACTIVE OVERVOLTAGE PROTECTION |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | SINGLE-ENDED MULTIPLEXER |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 19.3 mm |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 负电源电压最大值（Vsup）： | -18 V |
| 负电源电压最小值（Vsup）： | -4.5 V |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 信道数量： | 8 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 16 |
| 标称断态隔离度： | 90 dB |
| 通态电阻匹配规范： | 90 Ω |
| 最大通态电阻 (Ron)： | 1500 Ω |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | +-15 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大信号电流： | 0.02 A |
| 子类别： | Multiplexer or Switches |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 18 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 表面贴装： | NO |
| 最长断开时间： | 500 ns |
| 最长接通时间： | 500 ns |
| 切换： | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm |
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