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| 型号: | DM80L06N |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.92 |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T14 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 逻辑集成电路类型： | NAND GATE |
| 最大I（ol）： | 0.0036 A |
| 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 最大电源电流（ICC）： | 3.68 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 290 ns |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO |
| 子类别： | Gates |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | TTL |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
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