芯片DMG3414U-7概述
DMG3414U-7是一款高效的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要高开关频率和较低导通损耗的场合。该器件是由位于美国加利福尼亚州的Vishay Intertechnology公司设计和生产的,Vishay是全球领先的电子元件制造商之一,其产品涵盖了电阻、电容、磁性元件和半导体器件等多个领域。DMG3414U-7的设计特别考虑到了低RDS(on)和高速开关特性,使其在高性能应用中表现优异。
芯片DMG3414U-7的详细参数
DMG3414U-7的主要参数包括:
1. 最大漏极-源极电压(VDS): 30V 2. 最大漏极电流(ID): 40A (在适当的散热条件下) 3. 导通电阻(RDS(on)): 8.0 mΩ(在VGS=10V时) 4. 门极-源极电压(VGS): ±20V 5. 总门电荷(Qg): 40nC(在VGS=10V时) 6. 开关速度: 快速开关特性,驱动电路响应迅速。 7. 封装形式: 超小型的SMD封装,适合高密度的板卡设计。
由于其优越的电特性,DMG3414U-7适用于驱动电机、DC-DC转换器以及电源管理等各种应用场景。
芯片DMG3414U-7的厂家、包装、封装
DMG3414U-7由Vishay Intertechnology公司生产,该公司成立于1962年,是电子元件技术领域的重要参与者。Vishay持续推动半导体技术的前沿,为客户提供高性能的电子解决方案。DMG3414U-7的封装为SO-8(小型8脚封装),这一设计使其能够在密集的电路板中占据较小的空间,因此非常适合现代电子设计中对空间的严格要求。该封装类型另外也方便了在自动化生产线上的操作,能够很容易地进行贴片安装。
芯片DMG3414U-7的引脚和电路图说明
DMG3414U-7的引脚分布如下:
1. 引脚1 (G1) - 门极 2. 引脚2 (D1) - 漏极 3. 引脚3 (S1) - 源极 4. 引脚4 (S2) - 源极 5. 引脚5 (D2) - 漏极 6. 引脚6 (G2) - 门极 7. 引脚7 (S2) - 源极 8. 引脚8 (D2) - 漏极
其具体引脚图示如下所示:
+---+ G1 | 1 | G2 D1 | 2 | D2 S1 | 3 | S2 | 4 | | 5 | | 6 | | 7 | | 8 | +---+
通过这种引脚设计,DMG3414U-7能够在多个通道中独立操作,提高了设计灵活性。电路图的设计也必须考虑门极和漏极之间的连接,以确保MOSFET的有效开关。
芯片DMG3414U-7的使用案例
DMG3414U-7的应用相当广泛,适用于电源管理、电机驱动、LED驱动等领域。以下是一些具体的使用案例:
1. DC-DC转换器
在开关电源设计中,DMG3414U-7可作为开关元件,通过快速的开关特性提高能量转换效率。在Buck型或Boost型DC-DC转换器中,利用DMG3414U-7可以降低开关损耗,从而实现高效的电源供应。
2. 电动机驱动
电动车和机器人等复杂系统中的电动机驱动也是DMG3414U-7的应用领域。通过MOSFET的高导电性和快速开关行为,可以实现精确的电动机控制,确保良好的转速和扭矩特性。
3. LED驱动电路
在LED照明中,DMG3414U-7可用作驱动电路的开关元件,以实现高效的LED控制。LED回路中的开关频率较高,要求使用低开启电压和低开关损耗的器件。DMG3414U-7正符合这一要求,使得LED亮度调节更加平滑和高效。
4. 便携式设备
随着智能手机和其他便携式设备的普及,DMG3414U-7因其超小型封装而被广泛应用于这些设备的电源管理模块。现代便携设备普遍采用了高效率的电压调节技术,DMG3414U-7的特性能够支持这些需求,并够有效地维持设备工作状态。
DMG3414U-7凭借其优越的电性能和灵活的应用场景,已经成为行业内许多设计师和工程师的首选元件,促进了电子产品高效、可靠的发热及散热设计。
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型号: | DMG3414U-7 |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active |
IHS 制造商: | DIODES INC |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 22 weeks |
风险等级: | 1.63 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4.2 A |
最大漏极电流 (ID): | 4.2 A |
最大漏源导通电阻: | 0.025 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.78 W |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Powers |
表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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