DS1230Y-100概述
DS1230Y-100是由德州仪器(Texas Instruments)生产的一款高性能时钟控制芯片,广泛应用于数据存储设备和计算机系统中。它集成了多种功能,包括可编程时钟频率生成、数据保留和自动唤醒等。DS1230Y-100具有较为复杂的运作逻辑,能够在多种工作环境下保证数据的安全性与稳定性,因而成为了嵌入式系统设计中的重要组件。
DS1230Y-100的主要功能包括数据保持(data retention)、电源失效检测(power failure detection)、快速恢复(fast recovery)等。这些功能使得DS1230Y-100能够在主电源断电的情况下继续保护重要数据,从而在系统重新启动时迅速恢复到正常状态。这一特性在嵌入式设备、智能家居设备及工业控制系统中尤为重要。
DS1230Y-100详细参数
DS1230Y-100的主要技术参数包括:
- 供电电压范围:4.5V至5.5V - 供电电流:典型值为100µA - 工作温度范围:-40°C至85°C - 时钟频率:最大可达100MHz - 閾值电压:2.7V - 时间延迟:小于1ms - 引脚数量:28引脚 - 数据保持能力:80年(25°C时)
这些参数确保了DS1230Y-100芯片的稳定性与可靠性,适合于对温度和功耗有严格要求的应用场合。
厂家、包装及封装
DS1230Y-100由德州仪器(Texas Instruments, TI)制造。TI是一家全球知名的半导体制造商,提供广泛的产品系列,包括模拟电路、数字信号处理器和微控制器等。DS1230Y-100有多种封装类型可供选择,常见的封装形式包括SOIC和PDIP。不同的封装形式满足了不同的设计需求,例如,SOIC封装适用于空间有限的设计,而PDIP封装则适合于易于手工焊接的原型设计。
在包装方面,DS1230Y-100通常以卷带(Reel)或管装(Tub)方式提供。这些包装选择不仅方便生产和加工,还便于存储和运输,为大批量采购提供了便利条件。
引脚与电路图说明
DS1230Y-100的引脚排列为28引脚,其引脚功能可以归纳如下:
1. VCC:电源输入引脚 2. GND:接地引脚 3. RESET:复位引脚 4. A0-A7:地址引脚 5. D0-D7:数据引脚 6. WE:写使能引脚 7. OE:输出使能引脚 8. CS:片选引脚 9. STROBE:信号传输引脚 10. POWER_DON:电源指示引脚
电路图方面,DS1230Y-100通常被连接至微处理器或微控制器的地址和数据总线。其设计图一般包含一个RC电路用于延迟复位信号,以确保系统在启动时的正确初始化。此外,电源线路应包含去耦电容,以抵消可能的电压波动,从而保障芯片顺利运行。
下面是一个简化的电路图说明:
+------------+ VCC | 28 DS1230Y | | 1-------- GND | | 7-------- WE | | 5-------- OE | RESET| 9-------- CS | | ... | +------------+
使用案例
DS1230Y-100的应用案例广泛,典型的使用场景包括:
1. 数据存储器系统:在数据记录仪和实时数据采集系统中,DS1230Y-100能够在主电源断电时持续保持数据,以避免数据丢失。该芯片通过其内建的电源监控功能检测电源失效,并及时触发数据写入操作,以保证数据完整性。
2. 消费电子设备:诸如智能家居、智能穿戴等设备中,DS1230Y-100用于时钟和计时功能的管理。这些设备通常需要实时监控用户交互,DS1230Y-100能够在低功耗状态下保持时钟同步,延长电池使用寿命。
3. 工业控制设备:在工业自动化系统中,DS1230Y-100经常用来监控设备状态并保持必要的配置信息。其快速恢复功能确保系统可以在停电后迅速恢复到正常工作状态,避免不必要的停机时间。
4. 仪器仪表:DS1230Y-100可以应用于设备提供的各种仪器中,用于保持设置参数和实时数据的存储,帮助用户在设备重启后快速恢复操作。
5. 网络设备:为网络交换机、路由器等提供电源失效保护,确保关键信息不会因短暂断电而丢失,使设备可以更加可靠地工作。通过DS1230Y-100的控制,网络设备能够更高效地管理重连接过程。
通过这些实际应用案例,可以看出DS1230Y-100在现代电子产品设计中所占的重要地位。随着物联网和智能设备的发展,对于数据稳定性和电源管理的需求不断升级,DS1230Y-100无疑将在未来的应用中发挥更大的作用。
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型号: | DS1230Y-100 |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred |
IHS 制造商: | DALLAS SEMICONDUCTOR |
包装说明: | DIP-28 |
Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.62 |
Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 100 ns |
其他特性: | 10 YEARS DATA RETENTION PERIOD |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.005 A |
子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.085 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO |
技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
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