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  • EMF18T2R图
  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • EMF18T2R
  • 数量5300 
  • 厂家ROHM 
  • 封装EMT6 
  • 批号20+ 
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EMF18T2R产品参数
型号:EMF18T2R
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ROHM CO LTD
零件包装代码:SC-107
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数:6
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.83
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):68
JESD-30 代码:R-PDSO-F6
JESD-609代码:e2
元件数量:2
端子数量:6
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:TIN COPPER
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHz
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