FDA18N50产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P

详细描述：通孔 N 沟道 500V 19A（Tc） 239W（Tc） TO-3PN

制造商：ON Semiconductor

系列：UniFET™

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：19A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：265 毫欧 @ 9.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：60nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2860pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：239W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-3PN

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

标准包装：450