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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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FDA18N50产品参数和技术文档

FDA18N50产品图

FDA18N50产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
3.36000
$3.36
10
3.03400
$30.34
100
2.43820
$243.82
500
1.89638
$948.19
1,000
1.57129
$1,571.29

FDA18N50产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P

详细描述:通孔 N 沟道 500V 19A(Tc) 239W(Tc) TO-3PN

制造商:ON Semiconductor

系列:UniFET™

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):500V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):265 毫欧 @ 9.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):60nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2860pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):239W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-3PN

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3

标准包装:450

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