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FDD4141产品参数
型号:FDD4141
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
制造商包装代码:369AS
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.75
Samacsys Description:Fairchild FDD4141 P-channel MOSFET Transistor, 10.8 A, -40 V, 3-Pin TO-252
雪崩能效等级(Eas):337 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (ID):50 A
最大漏源导通电阻:0.0123 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):310 pF
JEDEC-95代码:TO-252AA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):69 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):100 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):87 ns
最大开启时间(吨):32 ns
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