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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 深圳市奥皇科技有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 深圳市凌创微科技有限公司

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  • 深圳市凌旭科技有限公司

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  • 深圳市富芯乐电子科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 厂家YUEJIN/粤金 
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  • 假一罚十,原装进口正品现货供应,价格优势。
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  • 深圳市集创讯科技有限公司

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  • 深圳市晨豪科技有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD(飞兆/仙童) 
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  • 批号14+/15+ 
  • ★当天发货绝对全新原装公司现货0755-82732291
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  • 深圳市荣晟泰科技有限公司

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  • 厂家ON/安森美 
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  • 有呆料处理加微信13723430164中介重酬
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  • 深圳源亚科技有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 厂家VBsemi(台湾微碧) 
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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 深圳芯锐达科技有限公司

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  • 首天国际(深圳)集团有限公司

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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 深圳市金嘉伦科技有限公司

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  • 深圳市莱杰信科技有限公司

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FDD6685产品参数和技术文档

FDD6685产品图

FDD6685产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,500
0.57171
$1,429.28

FDD6685产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 30V 11A DPAK

详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta),40A(Tc) 52W(Ta) TO-252

制造商:ON Semiconductor

系列:PowerTrench®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Ta),40A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):20 毫欧 @ 11A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):24nC @ 5V

Vgs(最大值):±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1715pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):52W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-252

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,500

其它名称:FDD6685-ND FDD6685TR

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