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配单直通车
FDD8424H产品参数
型号:FDD8424H
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
制造商包装代码:369AL
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:8 weeks
风险等级:0.94
Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:Released
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=969637
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=969637
Samacsys PartID:969637
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/FDD8424H.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/FDD8424H.jpg
Samacsys Pin Count:5
Samacsys Part Category:Transistor
Samacsys Package Category:Other
Samacsys Footprint Name:Dual DPAK 4L
Samacsys Released Date:2019-02-04 23:40:49
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):29 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):9 A
最大漏极电流 (ID):20 A
最大漏源导通电阻:0.024 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G4
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):3.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):55 A
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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