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FDG313N产品参数和技术文档

FDG313N产品图

FDG313N产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.26363
$790.90

FDG313N产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6

详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 950mA(Ta) 750mW(Ta) SC-70-6

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:最後搶購

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):25V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):950mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):450 毫欧 @ 500mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):2.3nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):750mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:SC-70-6

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

标准包装:3,000

其它名称:FDG313N-ND FDG313NFSTR

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