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品牌:ON Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.7A(Ta),13.5A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
制造商:ON Semiconductor
系列:PowerTrench?
包装:剪切带(CT)
零件状态:在售
FET 类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.7A(Ta),13.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 5.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):20nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1055pF @ 30V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2.1W(Ta),42W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:8-MLP(3.3x3.3)
封装/外壳:8-PowerWDFN
标准包装:1
其它名称:FDMC5614PCT
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
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