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FDMC5614P产品参数和技术文档

FDMC5614P产品图

FDMC5614P产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.59000
$1.59
10
1.41000
$14.10
100
1.11440
$111.44
500
0.86422
$432.11
1,000
0.68227
$682.27

FDMC5614P产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33

详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.7A(Ta),13.5A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)

制造商:ON Semiconductor

系列:PowerTrench?

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.7A(Ta),13.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 5.7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):20nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1055pF @ 30V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.1W(Ta),42W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-MLP(3.3x3.3)

封装/外壳:8-PowerWDFN

标准包装:1

其它名称:FDMC5614PCT

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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批量询价选中的记录已选中0条,每次最多15条。