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| 型号: | FDMQ86530L |
| Brand Name： | ON Semiconductor |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N12 |
| 制造商包装代码： | 511CR |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 26 weeks |
| 风险等级： | 0.96 |
| 外壳连接： | DRAIN SOURCE |
| 配置： | COMPLEX |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0175 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 15 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-N12 |
| JESD-609代码： | e4 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 12 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 22 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 45 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 28 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
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