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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 深圳市高捷芯城科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市美思瑞电子科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳分公司0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装TO-TO-2203L 
  • 批号24+ 
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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装TO220F 
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  • 原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈
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  • 深圳市英德州科技有限公司

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  • 厂家ON(安森美) 
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  • 全新原装 货源稳定 长期供应 提供配单
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 厂家ON/安森美 
  • 封装TO220 
  • 批号新年份 
  • 羿芯诚只做原装,原厂渠道,价格优势可谈!
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  • 0755-82570683 QQ:2853992132
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  • 深圳市意好科技有限公司

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  • 数量3500 
  • 厂家Fairchild 
  • 封装原厂 
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  • 中华地区销售
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • FDP150N10A
  • 数量200 
  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装TO220 
  • 批号21+ 
  • 羿芯诚只做原装 原厂渠道 价格优势
  • QQ:2881498351QQ:2881498351 复制
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 数量12736 
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  • 批号23+ 
  • 全新原装正品现货特价
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 批号新年份 
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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 数量26800 
  • 厂家on 
  • 封装TO-220-3 
  • 批号22+ 
  • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
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  • 深圳市芯柏然科技有限公司

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  • 数量26800 
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  • 深圳市亿智腾科技有限公司

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  • 数量16680 
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  • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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  • 上海振基实业有限公司

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产品型号FDP150N10的概述

FDP150N10芯片概述 FDP150N10是一种功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),广泛应用于电力电子和通信设备中。MOSFET是一种电压控制的场效应晶体管,其主要优势在于低导通电阻、快速开关特性和优秀的热性能。FDP150N10具有较高的耐压和较大的耐流能力,因此在高频、高效率的电力转换和开关应用中表现优异。 FDP150N10的额定电压为100V,额定电流为150A,适用于电源管理、电动机驱动、直流-直流转换器等场合。由于其低导通电阻(R_ds(on)),该芯片能够在工作时显著减小功率损耗。 FDP150N10详细参数 FDP150N10的关键技术参数如下: 1. 最大电压(V_DS): 100V 2. 最大电流(I_D): 150A 3. 导通阻抗(R_ds(on)): 0.045Ω(在10V...

产品型号FDP150N10的Datasheet PDF文件预览

July 2008  
FDP150N10  
N-Channel PowerTrench MOSFET  
100V, 57A, 15mΩ  
tm  
®
Features  
General Description  
RDS(on) = 12m( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 49A  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been  
especially tailored to minimize the on-state resistance and yet  
maintain superior switching performance.  
Fast switching speed  
Low gate charge  
High performance trench technology for extremely low RDS(on)  
High power and current handling capability  
RoHS compliant  
Application  
DC to DC convertors / Synchronous Rectification  
D
G
TO-220  
FDP Series  
G
D S  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
Ratings  
100  
Units  
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
±20  
V
-Continuous (TC = 25oC)  
-Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
57  
A
ID  
Drain Current  
40  
A
IDM  
Drain Current  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 3)  
228  
A
EAS  
dv/dt  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
132  
mJ  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
7.5  
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
110  
PD  
Power Dissipation  
0.88  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
300  
oC  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Case to Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Ratings  
1.13  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.5  
oC/W  
62.5  
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP150N10 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
Package Marking and Ordering Information TC = 25oC unless otherwise noted  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDP150N10  
FDP150N10  
TO-220  
-
-
50  
Electrical Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
BVDSS  
Drain to Source Breakdown Voltage  
ID = 250µA, VGS = 0V, TC= 25oC  
100  
-
-
-
V
BVDSS  
TJ  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
I
D = 250µA, Referenced to 25oC  
-
-
0.1  
V/oC  
V
DS = 100V, VGS = 0V  
-
-
-
1
IDSS  
IGSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate to Body Leakage Current  
µA  
VDS = 100V, VGS = 0V, TC = 150oC  
-
-
500  
±100  
VGS = ±20V, VDS = 0V  
nA  
On Characteristics  
VGS(th)  
RDS(on)  
gFS  
Gate Threshold Voltage  
VGS = VDS, ID = 250µA  
2.5  
-
4.5  
15  
-
V
mΩ  
S
Static Drain to Source On Resistance  
Forward Transconductance  
VGS = 10V, ID = 49A  
-
-
12  
VDS = 20V, ID = 49A  
(Note 4)  
156  
Dynamic Characteristics  
Ciss  
Coss  
Crss  
Input Capacitance  
-
-
-
3580  
340  
4760  
450  
pF  
pF  
pF  
VDS = 25V, VGS = 0V  
f = 1MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
140  
210  
Switching Characteristics  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Delay Time  
-
-
-
-
-
-
-
47  
164  
86  
104  
338  
182  
176  
69  
-
ns  
ns  
VDD = 50V, ID = 49A  
Turn-On Rise Time  
V
GS = 10V, RGEN = 25Ω  
Turn-Off Delay Time  
ns  
Turn-Off Fall Time  
83  
ns  
(Note 4, 5)  
(Note 4, 5)  
Qg(tot)  
Qgs  
Qgd  
Total Gate Charge at 10V  
Gate to Source Gate Charge  
Gate to Drain “Miller” Charge  
53  
nC  
nC  
nC  
V
V
DS = 80V, ID = 49A  
GS = 10V  
19  
15  
-
Drain-Source Diode Characteristics  
IS  
Maximum Continuous Drain to Source Diode Forward Current  
Maximum Pulsed Drain to Source Diode Forward Current  
-
-
-
-
-
-
-
57  
228  
1.3  
-
A
A
ISM  
VSD  
trr  
Drain to Source Diode Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
VGS = 0V, ISD = 49A  
-
V
41  
70  
ns  
nC  
VGS = 0V, ISD = 49A  
dIF/dt = 100A/µs  
(Note 4)  
Qrr  
Reverse Recovery Charge  
-
Notes:  
1: Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature  
2: L = 0.11mH, I = 49A, V = 50V, R = 25, Starting T = 25°C  
AS  
DD  
G
J
3:  
I
49A, di/dt 200A/µs, V BV  
, Starting T = 25°C  
SD  
DD  
DSS  
J
4: Pulse Test: Pulse width 300µs, Duty Cycle 2%  
5: Essentially Independent of Operating Temperature Typical Characteristics  
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2
Typical Performance Characteristics  
Figure 1. On-Region Characteristics  
Figure 2. Transfer Characteristics  
1000  
500  
VGS = 15.0 V  
*Notes:  
1. VDS = 20V  
10.0 V  
8.0 V  
7.0 V  
2. 250µs Pulse Test  
100  
6.5 V  
6.0 V  
5.5 V  
100  
150oC  
25oC  
10  
10  
2
*Notes:  
1. 250µs Pulse Test  
2. TC = 25oC  
-55oC  
0.1  
1
10  
1
0.02  
3
4
5
6
7
8
VDS,Drain-Source Voltage[V]  
VGS,Gate-Source Voltage[V]  
Figure 3. On-Resistance Variation vs.  
Figure 4. Body Diode Forward Voltage  
Variation vs. Source Current  
and Temperature  
Drain Current and Gate Voltage  
30  
25  
20  
15  
10  
5
500  
150oC  
100  
25oC  
VGS = 10V  
10  
VGS = 20V  
*Notes:  
1. VGS = 0V  
*Note: TC = 25oC  
2. 250µs Pulse Test  
1
0.2  
0
100  
200  
300  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
1.6  
ID, Drain Current [A]  
VSD, Body Diode Forward Voltage [V]  
Figure 5. Capacitance Characteristics  
Figure 6. Gate Charge Characteristics  
5000  
10  
*Note:  
1. VGS = 0V  
Ciss  
VDS = 25V  
VDS = 50V  
2. f = 1MHz  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
8
6
4
2
0
VDS = 80V  
Coss  
C
C
C
= C + C (C = shorted)  
gs gd ds  
iss  
= C + C  
ds  
= C  
gd  
oss  
rss  
gd  
Crss  
*Note: ID = 49A  
0.1  
1
10  
30  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
Qg, Total Gate Charge [nC]  
VDS, Drain-Source Voltage [V]  
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3
Typical Performance Characteristics (Continued)  
Figure 7. Breakdown Voltage Variation  
vs. Temperature  
Figure 8. On-Resistance Variation  
vs. Temperature  
2.4  
1.15  
1.10  
1.05  
1.00  
2.0  
1.6  
1.2  
*Notes:  
1. VGS = 0V  
2. ID = 250uA  
*Notes:  
1. VGS = 10V  
0.8  
0.95  
0.90  
2. ID = 49A  
0.4  
-100  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
TJ, Junction Temperature [oC]  
-100  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
TJ, Junction Temperature [oC]  
Figure 9. Maximum Safe Operating Area  
Figure 10. Maximum Drain Current  
vs. Case Temperature  
500  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
10µs  
100  
100µs  
1ms  
10ms  
10  
DC  
Operation in This Area  
is Limited by R DS(on)  
1
*Notes:  
1. TC = 25oC  
0.1  
2. TJ = 150oC  
3. Single Pulse  
0.01  
1
10  
100  
200  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
VDS, Drain-Source Voltage [V]  
TC, Case Temperature [oC]  
Figure 11. Transient Thermal Response Curve  
2
1
0.5  
0.2  
PDM  
0.1  
t1  
0.1  
t2  
0.05  
*Notes:  
0.02  
0.01  
1. ZθJC(t) = 1.13oC/W Max.  
2. Duty Factor, D= t1/t2  
3. TJM - TC = PDM * ZθJC(t)  
Single pulse  
0.01  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
1
10  
Rectangular Pulse Duration [sec]  
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4
Gate Charge Test Circuit & Waveform  
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms  
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms  
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5
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms  
+
DUT  
VDS  
_
I SD  
L
Driver  
RG  
Same Type  
as DUT  
VDD  
VGS  
• dv/dt controlled by RG  
• ISD controlled by pulse period  
Gate Pulse Width  
--------------------------  
VGS  
D =  
Gate Pulse Period  
10V  
( Driver )  
IFM , Body Diode Forward Current  
I SD  
di/dt  
( DUT )  
IRM  
Body Diode Reverse Current  
Body Diode Recovery dv/dt  
VSD  
VDS  
( DUT )  
VDD  
Body Diode  
Forward Voltage Drop  
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Mechanical Dimensions  
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Dimensions in Millimeters  
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TRADEMARKS  
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FPS™  
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CorePLUS™  
CorePOWER™  
CROSSVOLT™  
CTL™  
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EcoSPARK®  
EfficentMax™  
F-PFS™  
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QFET®  
QS™  
Quiet Series™  
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FRFET®  
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Green FPS™  
Green FPS™ e-Series™  
GTO™  
TinyBoost™  
TinyBuck™  
TinyLogic®  
TINYOPTO™  
TinyPower™  
IntelliMAX™  
ISOPLANAR™  
MegaBuck™  
MICROCOUPLER™  
MicroFET™  
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EZSWITCH™ *  
SmartMax™  
SMART START™  
SPM®  
STEALTH™  
SuperFET™  
SuperSOT™-3  
SuperSOT™-6  
SuperSOT™-8  
SuperMOS™  
®
TinyWire™  
µSerDes™  
®
MicroPak™  
Fairchild®  
MillerDrive™  
MotionMax™  
Motion-SPM™  
OPTOLOGIC®  
UHC®  
Ultra FRFET™  
UniFET™  
VCX™  
Fairchild Semiconductor®  
FACT Quiet Series™  
FACT®  
FAST®  
OPTOPLANAR®  
VisualMax™  
®
FastvCore™  
tm  
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Not In Production  
Rev. I34  
8
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FDP150N10 Rev. A  
配单直通车
FDP150N10产品参数
型号:FDP150N10
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
制造商包装代码:340AT
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:9 weeks
风险等级:1.47
雪崩能效等级(Eas):132 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):57 A
最大漏极电流 (ID):57 A
最大漏源导通电阻:0.015 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):228 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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