芯片FDP3652的概述
FDP3652是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理、工业控制及其他需要高效率低功耗的场合。该芯片支持高频开关操作,这使其在开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域具有极大的应用潜力。FDP3652通过优化的硅材料和先进的工艺技术,显著提高了其导通性能和开关速度,成为现代电子设计中不可或缺的关键元件之一。
芯片FDP3652的详细参数
FDP3652的参数可详细列为以下几个方面:
1. 电气特性 - 最大漏极源极电压(Vds): 30V - 最大连续漏极电流(Id): 55A(在Tc=25°C时) - 最大脉冲漏极电流(Id,pulse): 110A - 输入电容(Ciss): 1200pF(在25°C时) - 输出电容(Coss): 150pF - 反向恢复电流(IR): 直接在数据手册中可查得
2. 导通特性 - 最大导通电阻(Rds(on)): 8mΩ(在Vgs=10V时) - 漏极电流在Vgs=10V条件下的特性: 当Vgs增大时,漏极电流将线性上升,显示出良好的传输特性。
3. 开关特性 - 开关损耗: 在高频应用中,FDP3652的开关损耗非常低,提高了整体效率。 - 上升时间(tr): 小于100ns - 下降时间(tf): 小于50ns
4. 热特性 - 最大结温(Tj): 150°C - 热阻(Rθjc): 0.5°C/W
芯片FDP3652的厂家、包装、封装
FDP3652由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)生产,该公司在半导体领域具有悠久的历史和良好的声誉。该芯片提供多种封装选项,以满足不同应用中的空间和散热要求。
- 封装类型: TO-220、DPAK、SO-8等 - 包装方式: 通常为条状包装或卷装,以适应自动化生产线。
芯片FDP3652的引脚和电路图说明
FDP3652通常具有以下引脚配置(基于TO-220封装):
1. 引脚1: 漏极(Drain) 2. 引脚2: 源极(Source) 3. 引脚3: 栅极(Gate)
电路图中,可以通过将栅极连接到驱动电路,漏极与负载连接,源极与地相连,以实现高效的开关控制。基础电路图如下所示:
+----+ | | D| | <--- | | | +----+ | G| +----+ | | | | +----+ | S
在这一电路中,D代表漏极,G代表栅极,S代表源极。该配置使其可用于 PWM 控制、电流控制及过载保护等多种应用场景。
芯片FDP3652的使用案例
FDP3652的应用场景非常广泛,其在不同领域内的具体实施同样多样。以下是几个典型的使用案例:
1. 开关电源(SMPS) 开关电源是FDP3652最主要的应用之一。在这种配置中,FDP3652作为开关元件,通过PWM信号的调制,实现对输出电压的精确控制。得益于其快速开关特性,FDP3652能在不引入大量损耗的情况下,高效地将直流电源转换为稳定的其它电压。
2. DC-DC转换器 在DC-DC转换器中,FDP3652常用作升压或降压转换器中的开关元件。其低导通电阻有助于降低整体功率损耗,从而实现更高的转换效率。同时,支持高频操作使得电路的体积可以进一步减小,这是现代电子设备尤为重视的特性。
3. 电机驱动 在电机控制系统,如步进电机或无刷直流电机驱动中,FDP3652同样可以担当重要角色。通过适当的驱动信号,可以实现对电机转速和方向的精确控制,满足不同负载条件下的需求。
4. 电池管理系统(BMS) FDP3652在电池管理系统中能够提供高效率和低电阻路径,对电池充放电进行有效控制。其优越的热性能使其在充电过程中的发热量显著降低,延长系统整体的使用寿命。
5. LED驱动电路 在LED驱动中,FDP3652可以作为开关元件,通过PWM调制实现对LED亮度的调整,确保在多种环境下的稳定性和一致性。通过调节输入信号的频率和占空比,可以有效控制LED的功耗和发光强度。
FDP3652凭借其出色的电气性能,被广泛采用于各种现代电源应用当中,助力实现高效、稳定的电力管理解决方案,为电子产品的创新与发展提供了技术支持。
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型号: | FDP3652 |
Brand Name: | ON Semiconductor |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended |
包装说明: | TO-220AB, 3 PIN |
制造商包装代码: | 340AT |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 7.71 |
Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 182 mJ |
外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 9 A |
最大漏源导通电阻: | 0.016 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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