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FDP3652产品参数和技术文档

FDP3652产品图

FDP3652产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
2.13000
$2.13
10
1.92600
$19.26
100
1.54730
$154.73
500
1.20348
$601.74
1,000
0.99717
$997.17

FDP3652产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB

详细描述:通孔 N 沟道 100V 9A(Ta),61A(Tc) 150W(Tc) TO-220-3

制造商:ON Semiconductor

系列:PowerTrench®

包装:散装

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Ta),61A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):16 毫欧 @ 61A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):53nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2880pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):150W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220-3

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:800

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