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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 厂家FAIRCHILD 
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  • 深圳市柯氏贸易有限公司

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  • 厂家ON Semiconductor 
  • 封装MOSFET N-CH 200V 39A TO-220 
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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 数量22358 
  • 厂家FAIRCHILD 
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  • 百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可开13%增值税发票,支持样品,欢迎来电咨询!
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 厂家FSC正品 
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  • 绝对原装正品全新进口深圳现货
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  • 深圳市胜彬电子有限公司

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  • 数量7683 
  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装TO-220 
  • 批号2021+ 
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 数量21000 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装TO-220 
  • 批号ROHS 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳同贺科技有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD 
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  • 批号22+ 
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FDP39N20产品参数和技术文档

FDP39N20产品图

FDP39N20产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
2.00000
$2.00
10
1.80800
$18.08
100
1.45290
$145.29
500
1.13002
$565.01
1,000
0.93630
$936.30

FDP39N20产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 200V 39A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 200V 39A(Tc) 251W(Tc) TO-220AB

制造商:ON Semiconductor

系列:UniFET™

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):39A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):66 毫欧 @ 19.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):49nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2130pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):251W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:1,000

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