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  • 深圳市意好科技有限公司

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  • 深圳市华兴微电子有限公司

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  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 深圳市欧瑞芯科技有限公司

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  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司

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  • 深圳市芯柏然科技有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市奥伟斯科技有限公司

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产品型号FDS4480的概述

芯片FDS4480的概述 FDS4480是一款高度集成的双通道场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于功率管理和电源开关领域。该芯片主要用于电源转换、线性稳压电源、DC-DC转换器以及多种消费电子产品中,尤其是在要求高效能和紧凑设计的应用中更具优势。FDS4480的设计不仅注重降低导通电阻,还考虑了开关速率,以优化功耗和电路性能,将其应用于现代电子设备中更为有效。 该芯片具有双通道结构,能够在相对较低的输入电压下高效稳定地工作。FDS4480的低R_DS(on)特性使得其在高电流应用中表现出色,减少了热量产生,从而提高了系统的整体可靠性。 芯片FDS4480的详细参数 FDS4480的具体参数如下: - 类型: N沟MOSFET - 最大漏极-源极电压(V_DSS): 30V - 最大漏极电流(I_D): 36A (T = 25°C) - 导通电阻(R_DS(on)): 0.016Ω(...

产品型号FDS4480的Datasheet PDF文件预览

February 2002  
FDS4480  
40V N-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.  
·
·
·
10.8 A, 40 V. RDS(ON) = 12 mW @ VGS = 10 V  
Low gate charge (29 nC)  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
·
High power and current handling capability  
·
DC/DC converter  
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
D
G
SO-8  
S
S
S
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
40  
+30/–20  
10.8  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
45  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
PD  
W
1.4  
(Note 1c)  
1.2  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
RqJA  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1c)  
(Note 1)  
50  
125  
25  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS4480  
FDS4480  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS4480 Rev D (W)  
Ó2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min Typ Max Units  
Drain-Source Avalanche Ratings (Note 2)  
EAS  
IAS  
Drain-Source Avalanche Energy  
Drain-Source Avalanche Current  
Single Pulse, VDD=40V, ID=10.8A  
240  
mJ  
A
10.8  
Off Characteristics  
BVDSS  
Drain–Source Breakdown Voltage  
VGS = 0 V,  
ID = 250 mA  
40  
V
DBVDSS  
DTJ  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
42  
ID = 250 mA, Referenced to 25°C  
mV/°C  
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate–Body Leakage, Forward  
Gate–Body Leakage, Reverse  
VDS = 32 V, VGS = 0 V  
VGS = 30 V, VDS = 0 V  
VGS = –20 V, VDS = 0 V  
1
mA  
nA  
nA  
IGSSF  
IGSSR  
100  
–100  
On Characteristics  
(Note 2)  
VGS(th)  
Gate Threshold Voltage  
VDS = VGS  
,
ID = 250 mA  
2
3.9  
–8  
5
V
DVGS(th)  
DTJ  
Gate Threshold Voltage  
Temperature Coefficient  
ID = 250 mA, Referenced to 25°C  
mV/°C  
RDS(on)  
Static Drain–Source On–Resistance VGS = 10 V, ID = 10.8 A  
8
13  
12  
21  
mW  
VGS = 10 V,ID = 10.8 A, TJ=125°C  
ID(on)  
gFS  
On–State Drain Current  
VGS = 10 V, VDS = 5 V  
VDS = 10 V, ID = 10.8 A  
22  
A
S
Forward Transconductance  
36  
Dynamic Characteristics  
Ciss  
Coss  
Crss  
Input Capacitance  
1686  
384  
pF  
pF  
pF  
VDS = 20 V, V GS = 0 V,  
f = 1.0 MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
185  
Switching Characteristics (Note 2)  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn–On Delay Time  
Turn–On Rise Time  
Turn–Off Delay Time  
Turn–Off Fall Time  
Total Gate Charge  
Gate–Source Charge  
Gate–Drain Charge  
12  
9
22  
18  
48  
27  
41  
ns  
ns  
VDD = 20 V, ID = 1 A,  
VGS = 10 V, RGEN = 6 W  
30  
15  
29  
17  
4
ns  
ns  
Qg  
Qgs  
Qgd  
nC  
nC  
nC  
VDS = 20 V, ID = 10.8 A,  
VGS = 10 V  
FDS4480 Rev D (W)  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min Typ Max Units  
Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings  
IS  
Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current  
2.1  
1.2  
A
V
Drain–Source Diode Forward  
VGS = 0 V, IS = 2.1 A  
Voltage  
VSD  
(Note 2)  
0.7  
trr  
Diode Reverse Recovery Time  
IF = 10.8 A, diF/dt = 100 A/µs  
27  
58  
nS  
nC  
Qrr  
Diode Reverse Recovery Charge  
Notes:  
1. RqJA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of  
the drain pins. RqJC is guaranteed by design while RqCA is determined by the user's board design.  
a) 50°C/W when  
mounted on a 1in2  
pad of 2 oz copper  
b) 105°C/W when  
mounted on a .04 in2  
pad of 2 oz copper  
c) 125°C/W when mounted  
on a minimum pad.  
Scale 1 : 1 on letter size paper  
2. Pulse Test: Pulse Width < 300ms, Duty Cycle < 2.0%  
FDS4480 Rev D (W)  
Typical Characteristics  
80  
2
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1
VGS = 10V 6.0V  
VGS = 5.0V  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
5.5V  
5.5V  
5.0V  
6.0V  
7.0V  
4.5V  
8.0V  
60  
10V  
0.8  
0
1
2
3
4
0
20  
40  
ID, DRAIN CURRENT (A)  
80  
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 1. On-Region Characteristics.  
Figure 2. On-Resistance Variation with  
Drain Current and Gate Voltage.  
2
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1
0.025  
ID = 5.4A  
ID = 10.8A  
VGS = 10V  
0.022  
0.019  
0.016  
0.013  
0.01  
TA = 125oC  
0.8  
0.6  
0.4  
TA = 25oC  
0.007  
4
5
6
7
8
9
10  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 3. On-Resistance Variation  
withTemperature.  
Figure 4. On-Resistance Variation with  
Gate-to-Source Voltage.  
100  
80  
60  
40  
20  
0
VGS = 0V  
25oC  
125oC  
TA = -55oC  
VDS = 5V  
10  
TA = 125oC  
1
25oC  
0.1  
-55oC  
0.01  
0.001  
0.0001  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1
1.2  
2
3
4
5
6
VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 5. Transfer Characteristics.  
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation  
with Source Current and Temperature.  
FDS4480 Rev D (W)  
Typical Characteristics  
10  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
ID = 10.8A  
VDS = 10V  
f = 1 MHz  
VGS = 0 V  
20V  
8
6
4
2
0
30V  
CISS  
COSS  
400  
CRSS  
0
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
0
10  
20  
30  
40  
Qg, GATE CHARGE (nC)  
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 7. Gate Charge Characteristics.  
Figure 8. Capacitance Characteristics.  
100  
10  
50  
40  
30  
20  
10  
0
m
s
100  
SINGLE PULSE  
R
qJA = 125°C/W  
TA = 25°C  
1ms  
10ms  
RDS(ON) LIMIT  
100ms  
1s  
10s  
1
DC  
VGS = 10V  
SINGLE PULSE  
RqJA = 125oC/W  
TA = 25oC  
0.1  
0.01  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
t1, TIME (sec)  
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.  
Figure 10. Single Pulse Maximum  
Power Dissipation.  
1
D = 0.5  
R
qJA(t) = r(t) * RqJA  
0.2  
RqJA = 125oC/W  
0.1  
0.1  
0.05  
P(pk)  
0.02  
t1  
0.01  
t2  
0.01  
TJ - TA = P * RqJA(t)  
Duty Cycle, D = t1 / t2  
SINGLE PULSE  
0.001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
t1, TIME (sec)  
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.  
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.  
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.  
FDS4480 Rev D (W)  
TRADEMARKS  
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not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.  
â
SMART START™  
STAR*POWER™  
Stealth™  
VCX™  
FAST  
ACEx™  
Bottomless™  
CoolFET™  
OPTOLOGIC™  
OPTOPLANAR™  
PACMAN™  
FASTr™  
FRFET™  
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SuperSOT™-6  
SuperSOT™-8  
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HiSeC™  
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PowerTrenchâ  
QFET™  
EcoSPARK™  
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TinyLogic™  
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SILENTSWITCHERâ  
FACT™  
FACT Quiet Series™  
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that has been discontinued by Fairchild semiconductor.  
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Rev. H4  
配单直通车
FDS4480产品参数
型号:FDS4480
Brand Name:Fairchild Semiconductor
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
零件包装代码:SOIC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8
制造商包装代码:8LD, JEDEC MS-012, .150"NARROW BODY
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.33
Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:Released
Samacsys PartID:167213
Samacsys Pin Count:8
Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name:SO 8L NB (SOIC)
Samacsys Released Date:2015-04-13 16:43:26
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):240 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):10.8 A
最大漏极电流 (ID):10.8 A
最大漏源导通电阻:0.012 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):45 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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