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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 深圳市汇莱威科技有限公司

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  • 数量504907 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOP-8 
  • 批号▊▊16余年资质▊▊绝对原盒原盘▊▊代理渠道▊▊假一罚十▊▊ 
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  • 斯普仑科技

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  • 数量15868 
  • 厂家VBSEMI 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 厂家ON Semiconductor(安森美) 
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  • 深圳市晨豪科技有限公司

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  • 数量31752 
  • 厂家FSC 
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  • 批号15+/16+ 
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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 数量10056 
  • 厂家√ 欧美㊣品 
  • 封装贴◆插 
  • 批号16+ 
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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 数量27000 
  • 厂家ON 
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  • 数量12586 
  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装SOP-8 
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 数量4000 
  • 厂家FAIRCHILD 
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  • 上海贝尔电子有限公司

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  • 数量50000 
  • 厂家Fairchild 
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 数量68500 
  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装SOP-8 
  • 批号22+ 
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  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 数量12850 
  • 厂家FAIRCHILD 
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  • 深圳市凌旭科技有限公司

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  • 数量30000 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装SOP-8 
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FDS6614A产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO

制造商:ON Semiconductor

系列:PowerTrench®

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):18 毫欧 @ 9.3A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):17nC @ 5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1160pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.5W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-SO

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装:2,500

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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