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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 封装SOP-8.贴片 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥9.2元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市美思瑞电子科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 深圳市一呈科技有限公司

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  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SO8 
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  • ▉原装正品▉低价力挺实单全系列可订
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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 深圳市誉兴微科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市英德州科技有限公司

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  • 数量45000 
  • 厂家ON(安森美) 
  • 封装8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) 
  • 批号1年内 
  • 全新原装 正品保障
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 批号新年份 
  • 羿芯诚只做原装,原厂渠道,价格优势可谈!
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  • 0755-82570683 QQ:2853992132
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 数量12736 
  • 厂家FAIRCHILD 
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  • 全新原装正品现货特价
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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 封装8SOIC 
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  • 深圳市创芯联科技有限公司

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  • 数量15000 
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 批号2023+ 
  • 全新原厂原装产品、公司现货销售
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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 数量26800 
  • 厂家on 
  • 封装SOIC-8 
  • 批号22+ 
  • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
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  • 厂家FSC 
  • 封装SOP-8 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品全新深圳进口现货,优质渠道供应商!
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产品型号FDS8858CZ的概述

芯片 FDS8858CZ 概述 FDS8858CZ 是一款由 Fairchild Semiconductor(现已被 ON Semiconductor 收购)制造的高效功率 MOSFET(场效应管),主要用于各种电源管理的应用。此芯片因其优秀的性能和可靠性,广泛应用于消费电子、电力转换和电机驱动等领域。FDS8858CZ 主要功能是通过其低导通电阻和高开关频率,进行有效的电流控制和电能转换。其设计旨在提供更高的效率,使得产品在高性能应用中表现出色。 FDS8858CZ 的详细参数 FDS8858CZ 的主要电气特性如下: - 最大漏极电压(V_DS): 30V - 最大栅极源极电压(V_GS): ±20V - 导通电阻(R_DS(on)): 9.5 mΩ(V_GS = 10V) - 最大漏极电流(I_D): 55A - 脉冲漏极电流(I_D,pulse): 100A - 功耗(P_D)...

产品型号FDS8858CZ的Datasheet PDF文件预览

March 2007  
FDS8858CZ  
Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET  
N-Channel: 30V, 8.6A, 17.0mP-Channel: -30V, -7.3A, 20.5mΩ  
Features  
General Description  
Q1: N-Channel  
These dual N and P-Channel enhancement  
mode power  
MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s  
advanced PowerTrench process that has been especially  
„ Max rDS(on) = 17mat VGS = 10V, ID = 8.6A  
„ Max rDS(on) = 20mat VGS = 4.5V, ID = 7.3A  
tailored to minimize on-state  
superior switching performance.  
resistance and yet maintain  
Q2: P-Channel  
„ Max rDS(on) = 20.5mat VGS = -10V, ID = -7.3A  
These devices are well suited for low voltage and battery  
powered applications where low in-line power loss and fast  
switching are required.  
„ Max rDS(on) = 34.5mat VGS = -4.5V, ID = -5.6A  
„ High power and handing capability in a widely used surface  
mount package  
Application  
„ Inverter  
„ Fast switching speed  
„ Synchronous Buck  
D2  
D2  
Q2  
4
3
2
1
D2  
D2  
D1  
D1  
5
6
7
8
G2  
S2  
G1  
S1  
D1  
D1  
SO-8  
Q1  
G2  
S2  
G1  
S1  
Pin 1  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Q1  
30  
Q2  
-30  
±25  
-7.3  
-20  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
A
VGS  
ID  
±20  
8.6  
20  
Drain Current  
- Continuous  
- Pulsed  
TA = 25°C  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2.0  
1.6  
0.9  
PD  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
(Note 1a)  
(Note 1c)  
W
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1)  
40  
78  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13”  
Tape Width  
12mm  
Quantity  
FDS8858CZ  
FDS8858CZ  
SO-8  
2500 units  
1
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS8858CZ Rev.B  
www.fairchildsemi.com  
Electrical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Type  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Off Characteristics  
ID = 250µA, VGS = 0V  
ID = -250µA, VGS = 0V  
Q1  
Q2  
30  
-30  
BVDSS  
Drain to Source Breakdown Voltage  
V
mV/°C  
µA  
BVDSS  
TJ  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
ID = 250µA, referenced to 25°C  
ID = -250µA, referenced to 25°C  
Q1  
Q2  
22  
22  
VDS = 24V, VGS = 0V  
VDS = -24V, VGS = 0V  
Q1  
Q2  
1
-1  
IDSS  
IGSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate to Source Leakage Current  
VGS = ±20V, VDS = 0V  
VGS = ±25V, VDS = 0V  
Q1  
Q2  
±10  
±10  
µA  
On Characteristics  
VGS = VDS, ID = 250µA  
VGS = VDS, ID = -250µA  
Q1  
Q2  
1
-1  
1.6  
-2.1  
3
-3  
VGS(th)  
Gate to Source Threshold Voltage  
V
VGS(th)  
TJ  
Gate to Source Threshold Voltage  
Temperature Coefficient  
ID = 250µA, referenced to 25°C  
ID = -250µA, referenced to 25°C  
Q1  
Q2  
-5.4  
-6.0  
mV/°C  
VGS = 10V, ID = 8.6A  
VGS = 4.5V, ID = 7.3A  
VGS = 10V, ID = 8.6A, TJ = 125°C  
12.4  
15.2  
17.7  
17.0  
20.0  
24.3  
Q1  
Q2  
rDS(on)  
Static Drain to Source On Resistance  
mΩ  
VGS = -10V, ID = -7.3A  
VGS = -4.5V, ID = -5.6A  
VGS = -10V, ID = -7.3A, TJ = 125°C  
17.1  
26.5  
24.0  
20.5  
34.5  
28.8  
VDS = 5V, ID = 8.6A  
VDS = -5V, ID = -7.3A  
Q1  
Q2  
27  
21  
gFS  
Forward Transconductance  
S
Dynamic Characteristics  
Q1  
Q2  
905  
1675  
1205  
2230  
Q1  
Ciss  
Coss  
Crss  
Rg  
Input Capacitance  
pF  
pF  
pF  
VDS = 15V, VGS = 0V, f = 1MHZ  
Q1  
Q2  
180  
290  
240  
390  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Gate Resistance  
Q2  
VDS = -15V, VGS = 0V, f = 1MHZ  
Q1  
Q2  
110  
260  
165  
390  
Q1  
Q2  
1.3  
4.4  
f = 1MHz  
Switching Characteristics  
Q1  
Q2  
7
9
14  
18  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
ns  
ns  
Q1  
VDD = 15V, ID = 8.6A,  
VGS = 10V, RGEN = 6Ω  
Q1  
Q2  
3
10  
10  
20  
Q1  
Q2  
19  
33  
35  
53  
Q2  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
ns  
VDD = -15V, ID = -7.3A,  
VGS = -10V, RGEN = 6Ω  
Q1  
Q2  
3
16  
10  
29  
ns  
Q1  
Q2  
17  
33  
24  
46  
Qg(TOT)  
Qgs  
Qgd  
Total Gate Charge  
Gate to Source Charge  
Gate to Drain “Miller” Charge  
nC  
nC  
nC  
Q1  
VGS = 10V, VDD = 15V, ID = 8.6A  
Q1  
Q2  
2.7  
6.1  
Q2  
Q1  
Q2  
3.4  
8.5  
VGS = -10V, VDD = -15V, ID = -7.3A  
www.fairchildsemi.com  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS8858CZ Rev.B  
2
Electrical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Type  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Drain-Source Diode Characteristics  
V
V
GS = 0V, IS = 8.6A  
GS = 0V, IS = -7.3A  
(Note 2) Q1  
(Note 2) Q2  
0.8  
0.9  
1.2  
-1.2  
VSD  
trr  
Source to Drain Diode Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
V
Q1  
Q2  
25  
28  
38  
42  
Q1  
ns  
nC  
IF = 8.6A, di/dt = 100A/s  
Q2  
IF = -7.3A, di/dt = 100A/s  
Q1  
Q2  
19  
22  
29  
33  
Qrr  
Reverse Recovery Charge  
Notes:  
1. R  
R
is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of the drain pins.  
θJA  
θJC  
is guaranteed by design while R  
is determined by the user’s board design.  
θCA  
c) 135°C/W when  
mounted on a  
minimun pad  
b) 125°C/W when  
mounted on a 0.02 in  
pad of 2 oz copper  
a) 78°C/W when  
mounted on a 0.5 in  
pad of 2 oz copper  
2
2
Scale 1 : 1 on letter size paper  
2. Pulse Test: Pulse Width < 300µs, Duty cycle < 2.0%.  
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©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS8858CZ Rev.B  
3
Typical Characteristics (Q1 N-Channel)TJ = 25°C unless otherwise noted  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
20  
16  
12  
8
PULSE DURATION = 80µs  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
PULSE DURATION = 80µs  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
VGS = 3.0V  
VGS = 10V  
VGS = 4.5V  
VGS = 3.5V  
VGS = 3.0V  
VGS = 3.5V  
VGS = 4.5V  
4
VGS = 10V  
0
0
0
4
8
12  
16  
20  
1
2
3
4
ID, DRAIN CURRENT(A)  
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 1. On- Region Characteristics  
Figure2. N o r m a l i z e d O n - R e s i s ta n c e  
vs Drain Current and Gate Voltage  
1.6  
35  
I
= 8.6A  
PULSE DURATION = 80µs  
ID = 8.6A  
D
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
V
= 10V  
GS  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
30  
25  
20  
15  
10  
TJ = 125oC  
TJ = 25oC  
-75 -50 -25  
0
25 50 75 100 125 150  
2
4
6
8
10  
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
F i gu re 3 . N orma li zed On - Res is ta nc e  
vs Junction Temperature  
Figure4. On-Resistance vs Gate to  
Source Voltage  
20  
20  
10  
PULSE DURATION = 80µs  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
16  
VGS = 0V  
VDS = 5V  
1
12  
TJ = 150oC  
TJ = 25oC  
TJ = 25oC  
0.1  
8
TJ = 150oC  
0.01  
4
TJ = -55oC  
TJ = -55oC  
0.001  
0
0
0.0  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1
2
3
4
VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 5. Transfer Characteristics  
Figure6. Source to Drain Diode  
Forward Voltage vs Source Current  
www.fairchildsemi.com  
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FDS8858CZ Rev.B  
4
Typical Characteristics (Q1 N-Channel)TJ = 25°C unless otherwise noted  
10  
8
3000  
ID = 8.6A  
C
iss  
1000  
VDD = 15V  
VDD = 10V  
6
C
oss  
VDD = 20V  
4
C
rss  
2
f = 1MHz  
= 0V  
100  
50  
V
GS  
0
30  
0.1  
1
10  
0
4
8
12  
16  
20  
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Q , GATE CHARGE(nC)  
g
Figure 7. Gate Charge Characteristics  
Figure8. C a p a c i t a n c e v s D r a i n  
to Source Voltage  
10-3  
10-4  
10-5  
10-6  
10-7  
20  
10  
VDS = 0V  
TJ = 125oC  
TJ = 25oC  
T = 25oC  
J
T = 125oC  
J
1
0.01  
0.1  
1
10  
100  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
tAV, TIME IN AVALANCHE(ms)  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE(V)  
Figure9. U n c l a m p e d I n d u c t i v e  
Switching Capability  
Figure 10. Gate Leakage Current vs Gate to  
SourceVoltage  
8
6
4
2
50  
10  
VGS = 10V  
1ms  
1
0.1  
10ms  
THIS AREA IS  
LIMITED BY rDS(on)  
100ms  
1s  
VGS = 4.5V  
SINGLE PULSE  
TJ = MAX RATED  
10s  
DC  
R
θJA = 135oC/W  
TA = 25oC  
R
θJA = 78oC/W  
0
25  
0.01  
50  
75  
100  
125  
150  
0.1  
1
10  
80  
TA, AMBIENT TEMPERATURE (oC)  
VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 11. Maximum Continuous Drain  
Current vs Ambient Temperature  
Figure12. Forward Bias Safe  
Operating Area  
www.fairchildsemi.com  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS8858CZ Rev.B  
5
Typical Characteristics (Q1 N-Channel)TJ = 25°C unless otherwise noted  
300  
VGS = 10V  
FOR TEMPERATURES  
o
ABOVE 25 C DERATE PEAK  
100  
CURRENT AS FOLLOWS:  
150 T  
A
I = I  
------------------------  
25  
125  
TA = 25oC  
10  
SINGLE PULSE  
RθJA = 135oC/W  
1
0.5  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
101  
102  
103  
t, PULSE WIDTH (s)  
Figure 13. Single Pulse Maximum Power Dissipation  
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER  
D = 0.5  
0.2  
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.1  
SINGLE PULSE  
RθJA = 135oC/W  
0.01  
0.0003  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
101  
102  
103  
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)  
Figure 14. Transient Thermal Response Curve  
www.fairchildsemi.com  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS8858CZ Rev.B  
6
Typical Characteristics (Q2 P-Channel)TJ = 25°C unless otherwise noted  
20  
16  
12  
8
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
PULSE DURATION = 80µs  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
PULSE DURATION = 80µs  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
VGS = -10V  
VGS = -3V  
VGS = -4.5V  
VGS = -3.5V  
VGS = -3.5V  
VGS = -4.5V  
VGS = -10V  
4
VGS = -3V  
0
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12  
16  
20  
-ID, DRAIN CURRENT(A)  
-VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 15. On- Region Characteristics  
Figure 16. Normalized on-Resistance vs Drain  
Current and Gate Voltage  
1.6  
60  
ID = -7.3A  
PULSE DURATION = 80µs  
ID = -7.3A  
VGS = -10V  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
50  
40  
30  
20  
10  
TJ = 125oC  
TJ = 25oC  
-75 -50 -25  
0
25 50 75 100 125 150  
2
4
6
8
10  
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)  
-VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 18. On-Resistance vs Gate to  
Source Voltage  
Figure 17. Normalized On- Resistance  
vs Junction Temperature  
30  
10  
20  
PULSE DURATION = 80µs  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
16  
VGS = 0V  
1
0.1  
VDS = -5V  
12  
TJ = 25oC  
TJ = 150oC  
8
0.01  
TJ = 25oC  
TJ =-55oC  
TJ = -55oC  
4
0.001  
0.0001  
TJ = 125oC  
0
0
1
2
3
4
5
0.0  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
-VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)  
-VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 19. Transfer Characteristics  
Figure 20. Source to Drain Diode  
Forward Voltage vs Source Current  
www.fairchildsemi.com  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS8858CZ Rev.B  
7
Typical Characteristics(Q2 P-Channel)TJ = 25oC unless otherwise noted  
10  
4000  
ID = -7.3A  
Ciss  
VDD = -10V  
8
VDD = -15V  
1000  
6
VDD = -20V  
Coss  
4
Crss  
2
f = 1MHz  
= 0V  
V
GS  
0
100  
0
7
14  
21  
28  
35  
0.1  
1
10  
30  
-VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
-Q , GATE CHARGE(nC)  
g
Figure 22. Capacitance vs Drain  
to Source Voltage  
Figure 21. Gate Charge Characteristics  
10-3  
10-4  
10-5  
10-6  
10-7  
10-8  
20  
VDS = 0V  
10  
TJ = 25oC  
TJ = 125oC  
TJ = 125oC  
TJ = 25oC  
1
0.01  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
0.1  
1
10  
30  
-VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE(V)  
tAV, TIME IN AVALANCHE(ms)  
Figure 23. Unclamped Inductive  
Switching Capability  
Figure 24. Gate Leakage Current vs Gate to  
Source Voltage  
8
6
4
2
0
60  
10  
VGS = -10V  
1ms  
10ms  
1
0.1  
VGS = -4.5V  
THIS AREA IS  
LIMITED BY rDS(on)  
100ms  
SINGLE PULSE  
J = MAX RATED  
1s  
T
10s  
DC  
θJA = 135oC/W  
TA = 25oC  
RθJA = 78oC/W  
R
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0.01  
TA, AMBIENT TEMPERATURE (oC)  
0.1  
1
10  
80  
-VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure25. Maxi mu m Co nti nu ou s Dr ain  
Current vs Ambient Temperature  
Figure 26. Forward Bias Safe  
Operating Area  
www.fairchildsemi.com  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS8858CZ Rev.B  
8
Typical Characteristics(Q2 P-Channel) TJ = 25oC unless otherwise noted  
300  
VGS = 10V  
FOR TEMPERATURES  
o
ABOVE 25 C DERATE PEAK  
100  
CURRENT AS FOLLOWS:  
150 T  
A
I = I  
------------------------  
25  
125  
TA = 25oC  
10  
SINGLE PULSE  
RθJA = 135oC/W  
1
0.5  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
101  
102  
103  
t, PULSE WIDTH (s)  
Figure 27. Single Pulse Maximum Power Dissipation  
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER  
D = 0.5  
0.2  
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.1  
P
DM  
t
1
t
2
SINGLE PULSE  
RθJA = 135oC/W  
NOTES:  
DUTY FACTOR: D = t /t  
0.01  
1
2
PEAK T = P  
x Z  
x R  
+ T  
J
DM  
θJC  
θJA A  
0.0003  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
101  
102  
103  
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)  
Figure 28. Transient Thermal Response Curve  
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©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS8858CZ Rev.B  
9
tm  
TRADEMARKS  
The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not  
intended to be an exhaustive list of all such trademarks.  
ACEx®  
HiSeC™  
i-Lo™  
Programmable Active Droop™  
QFET®  
QS™  
QT Optoelectronics™  
Quiet Series™  
RapidConfigure™  
RapidConnect™  
ScalarPump™  
SMART START™  
SPM®  
STEALTH™  
SuperFET™  
SuperSOT™-3  
SuperSOT™-6  
SuperSOT™-8  
SyncFET™  
TinyLogic®  
TINYOPTO™  
TinyPower™  
TinyWire™  
TruTranslation™  
µSerDes™  
UHC®  
UniFET™  
VCX™  
Wire™  
Across the board. Around the world.™  
ActiveArray™  
Bottomless™  
Build it Now™  
CoolFET™  
ImpliedDisconnect™  
IntelliMAX™  
ISOPLANAR™  
MICROCOUPLER™  
MicroPak™  
MICROWIRE™  
MSX™  
MSXPro™  
OCX™  
OCXPro™  
CROSSVOLT™  
CTL™  
Current Transfer Logic™  
DOME™  
E2CMOS™  
EcoSPARK®  
EnSigna™  
OPTOLOGIC®  
OPTOPLANAR®  
PACMAN™  
POP™  
FACT Quiet Series™  
FACT®  
FAST®  
FASTr™  
Power220®  
TCM™  
FPS™  
Power247®  
The Power Franchise®  
FRFET®  
PowerEdge™  
PowerSaver™  
PowerTrench®  
GlobalOptoisolator™  
GTO™  
TinyBoost™  
TinyBuck™  
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THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.  
As used herein:  
1. Life support devices or systems are devices or systems  
which, (a) are intended for surgical implant into the body or (b)  
support or sustain life, and (c) whose failure to perform when  
properly used in accordance with instructions for use provided in  
the labeling, can be reasonably expected to result in a significant  
injury of the user.  
2. A critical component in any component of a life support,  
device, or system whose failure to perform can be reasonably  
expected to cause the failure of the life support device or  
system, or to affect its safety or effectiveness.  
PRODUCT STATUS DEFINITIONS  
Definition of Terms  
Product Status  
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Definition  
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This datasheet contains the design specifications for product  
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Full Production  
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right to make changes at any time without notice to improve  
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Semiconductor reserves the right to make changes at any time  
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Not In Production  
Rev. I24  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS8858CZ Rev.B  
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配单直通车
FDS8858CZ产品参数
型号:FDS8858CZ
Brand Name:Fairchild Semiconductor
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码:SOIC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8
制造商包装代码:8LD, JEDEC MS-012, .150"NARROW BODY
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.7
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
Samacsys PartID:1185255
Samacsys Pin Count:8
Samacsys Part Category:Transistor
Samacsys Package Category:Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name:FDS8858CZ
Samacsys Released Date:2019-05-16 06:08:48
Is Samacsys:N
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):8.6 A
最大漏极电流 (ID):8.6 A
最大漏源导通电阻:0.017 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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