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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 北京顺科电子科技有限公司

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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 深圳市奥伟斯科技有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市欧瑞芯科技有限公司

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  • 封装8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) 
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  • 深圳市晨豪科技有限公司

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产品型号FDS8960C的概述

芯片FDS8960C的概述 FDS8960C是一款集成电路,属于增强型MOSFET经典领域,其在电源管理、开关电源和电机驱动等多种应用中发挥着关键作用。随着科技的不断进步,电源管理IC的需求日益增加,FDS8960C因其出色的性能表现和广泛的应用前景,成为工程师们青睐的选择。 芯片FDS8960C的详细参数 FDS8960C的主要技术参数如下: - 类型:增强型N沟MOSFET - 最大漏极电压(V_DS):30V - 最大漏极电流(I_D):30A - 开启电压(V_GS):10V - 最大功耗(P_D):2W - 输入电容(C_ISS):接近2070 pF - R_DS(on):典型值为5.7mΩ(V_GS = 10V) - 截止频率(f_T):与负载条件及布局相关,通常在100MHz以上 - 工作结温(T_J):-55℃至+150℃ 这些参数使得FDS8960C在高效能与低功耗设...
配单直通车
FDS8960C产品参数
型号:FDS8960C
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:End Of Life
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
制造商包装代码:751EB
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:6.21
Is Samacsys:N
其他特性:FAST SWITCHING
雪崩能效等级(Eas):24.5 mJ
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:35 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):7 A
最大漏极电流 (ID):7 A
最大漏源导通电阻:0.024 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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