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FDT434P产品参数
型号:FDT434P
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
零件包装代码:SOT-223
包装说明:SOT-223, 4 PIN
针数:4
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.36
Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):6 A
最大漏源导通电阻:0.05 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):30 A
认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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