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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量13500 
  • 厂家Fairchild 
  • 封装REEL 
  • 批号2021+ 
  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 数量840000 
  • 厂家FSC 
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  • 数量588 
  • 厂家FAI 
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  • 数量27000 
  • 厂家VBsemi(台湾微碧) 
  • 封装SOT-223 
  • 批号21+ 
  • 原厂原装正品P沟道 -35V -6.2A
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 数量68500 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT223 
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  • 假一罚十,原装进口正品现货供应,只做原装
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  • 数量5800 
  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装SOT223 
  • 批号2020+ 
  • 深圳原装进口正品现货供应,假一罚十。
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  • 数量26800 
  • 厂家YUEJIN/粤金 
  • 封装SOT-223 
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  • 假一罚十,原装进口正品现货供应,价格优势。
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  • 厂家YUEJIN/粤金 
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  • 深圳市莱杰信科技有限公司

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  • 数量86720 
  • 厂家FAIRCHILD 
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  • 代理授权原装正品价格最实惠,假一赔百
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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 数量19481 
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FDT434P产品参数和技术文档

FDT434P产品图

FDT434P产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
4,000
0.28047
$1,121.89

FDT434P产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223

详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4

制造商:ON Semiconductor

系列:PowerTrench®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):50 毫欧 @ 6A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):19nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1187pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):3W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:SOT-223-4

封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA

标准包装:4,000

其它名称:FDT434P-ND FDT434PTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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