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| 型号: | FGA20N120FTDTU |
| Brand Name： | ON Semiconductor |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 包装说明： | , |
| 制造商包装代码： | 340BZ |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 11 weeks |
| 风险等级： | 1.37 |
| Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released |
| 2D Presentation： | https://componentsearchengine.com/2D/0T/167296.2.1.png |
| Schematic Symbol： | https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=167296 |
| PCB Footprint： | https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=167296 |
| 3D View： | https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=167296 |
| Samacsys PartID： | 167296 |
| Samacsys Image： | https://componentsearchengine.com/Images/9/FGA20N120FTDTU.jpg |
| Samacsys Thumbnail Image： | https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/FGA20N120FTDTU.jpg |
| Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | Transistor IGBT |
| Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical |
| Samacsys Footprint Name： | TO-3P 3L |
| Samacsys Released Date： | 2019-06-20 15:45:07 |
| Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 40 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 最大降落时间（tf）： | 320 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 7.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 25 V |
| JESD-609代码： | e3 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 298 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
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