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品牌:ON Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 60V 27A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 60V 27A(Tc) 120W(Tc) TO-220-3
制造商:ON Semiconductor
系列:QFET®
包装:管件
零件状态:在售
FET 类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):27A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):70 毫欧 @ 13.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):43nC @ 10V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1400pF @ 25V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):120W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220-3
封装/外壳:TO-220-3
标准包装:1,000
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
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