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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 厂家onsemi(安森美) 
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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 绝对市场最低价绝对原装现货特价
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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市创芯联科技有限公司

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  • 深圳市正纳电子有限公司

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配单直通车

FQP30N06产品参数和技术文档

FQP30N06产品图

FQP30N06产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.46000
$1.46
10
1.29100
$12.91
100
1.01990
$101.99
500
0.79098
$395.49
1,000
0.62445
$624.45

FQP30N06产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 60V 30A(Tc) 79W(Tc) TO-220AB

制造商:ON Semiconductor

系列:QFET®

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):40 毫欧 @ 15A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):25nC @ 10V

Vgs(最大值):±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):945pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):79W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:1,000

其它名称:FQP30N06-ND FQP30N06FS

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