芯片FQP3N80C的概述
FQP3N80C是一款便捷且性能良好的N沟道MOSFET,主要应用于高功率转换、开关电源和其他功率放大器电路。作为一款由Fairchild Semiconductor(现为英飞凌科技公司)生产的器件,该芯片以其出色的电流承载能力和高耐压特性,成为众多电子设计中的重点选择。其主要特点为较高的击穿电压(800V),最大漏极电流达到3A,以及较小的导通电阻,使得其在多种应用场景中都能表现出色。
芯片FQP3N80C的详细参数
FQP3N80C的关键规格包括: - 型号:FQP3N80C - 类型:N沟道MOSFET - V_DS(漏源电压):最大800V - I_D(漏极电流):最大3A - R_DS(on)(导通电阻):最大0.65Ω(在V_GS = 10V时) - 最大功耗:最大40W - 输入电容:最大1500pF(在V_DS = 400V时) - 工作温度范围:-55°C至+150°C - 封装类型:TO-220 - 临界电流(V_GS):通常在10V时可达到较佳性能 - 计算优势:相对于同类产品,FQP3N80C在高压工作下依然保持低导通电阻,显著降低开关损耗,提高效率。
芯片FQP3N80C的厂家、包装、封装
FQP3N80C的生产厂家为Fairchild Semiconductor,现并入英飞凌科技公司。该MOSFET采用TO-220封装,便于散热和应用于各种电路中。TO-220封装具有较大的热传导能力,能够有效地将器件产生的热量散发到外部环境中,从而提高器件的可靠性和稳定性。
此外,FQP3N80C在市场上通常以散装或带托架包装销售,生产批次会影响到单个芯片的价格,而整箱的批量订购则有助于降低单位成本。在选择购买渠道时,建议选择正规渠道,以保证器件的真实性和性能。
芯片FQP3N80C的引脚和电路图说明
FQP3N80C的引脚排列识别如下: - 引脚1(G,栅极):控制MOSFET的开关状态,施加正电压可使器件导通。 - 引脚2(D,漏极):电流从这个引脚流出,连接到负载。 - 引脚3(S,源极):连接到电源负极或接地。
MOSFET的电路连接通常如图所示,开关控制通过栅极与信号源连接。漏极通过负载连接到电源,源极则接至公共接地。在这种配置中,当栅极施加足够的电压时,MOSFET导通,并允许电流通过负载;反之则断开电流。
芯片FQP3N80C的使用案例
FQP3N80C广泛应用于各种功率电子应用,其中包括但不限于开关电源、DC-DC转换器和逆变器。
1. 开关电源
在开关电源中,FQP3N80C可作为主开关元件使用。工作时,控制电路通过调节栅极电压来实现开关的快速切换,使得电源能够以较高的频率工作。这种高频工作能够显著减小电路中使用的电感和电容器,提升整体效率。开关频率的提升可同时减小待机功耗和体积,满负荷下的效率可达到90%以上。
2. DC-DC转换器
在DC-DC转换器中,FQP3N80C因其相对高的电压和电流规格,特别适合用于Buck和Boost变换器电路。通过调节开关频率和占空比,可以实现不同的输出电压,保证电源系统的灵活性和可调性。具有低导通电阻的特性使得在Buck模式下能效极其良好,以此减少能量浪费。
3. 逆变器
在逆变器设计中,FQP3N80C通常应用于DC至AC的转换过程中,以驱动电动机或其他负载。这需要MOSFET在开关过程中保持快速响应和高稳定性。以FQP3N80C为核心的逆变器电路,能够有效转换电能,而且在快速动态响应下能确保输出的电压波形质量,适用于太阳能电池逆变器和不间断电源(UPS)等应用。
4. 温控风扇电路
FQP3N80C还能用于温控风扇电路中。通过视频保护电路,FQP3N80C可以实时检测对温度变化做出响应,并控制风扇的打开和关闭或其转速,以降低系统温度。这种应用在电脑、电机驱动系统中尤为常见,确保系统保持在最佳工作状态。
通过以上各方面的分析,可以看出FQP3N80C在现代电子设计中的重要性。无论是在功率转换、开关控制还是直流电源应用上,该芯片都展现了出色的性能和适用性。
北京元坤伟业科技有限公司 服务专线: 010-62104931621064316210489162104791 在线联系:
深圳市芯福林电子有限公司 服务专线: 13418564337 在线联系:
深圳市中利达电子科技有限公司 服务专线: 0755-83200645/13686833545 在线联系:
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司 服务专线: 0755-83209937 在线联系:
首天国际(深圳)科技有限公司 服务专线: 0755-82807802/82807803 在线联系:
型号: | FQP3N80C |
Brand Name: | Fairchild Semiconductor |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-220 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 |
制造商包装代码: | 3LD, TO220, JEDEC, MOLDED |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.33 |
雪崩能效等级(Eas): | 320 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 800 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3 A |
最大漏极电流 (ID): | 3 A |
最大漏源导通电阻: | 4.8 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 107 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 12 A |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯,Datasheet 1000万数据,IC品牌1000多家。