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FQP4N80产品参数和技术文档

FQP4N80产品图

FQP4N80产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.99000
$1.99
10
1.76200
$17.62
100
1.39270
$139.27
500
1.08004
$540.02
1,000
0.85267
$852.67

FQP4N80产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 800V 3.9A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB

制造商:ON Semiconductor

系列:QFET®

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):800V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):3.6 欧姆 @ 1.95A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):25nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):880pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):130W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:1,000

其它名称:FQP4N80-ND FQP4N80FS

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