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  • 深圳市凯信扬科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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产品型号GBJ2510的概述

芯片GBJ2510的概述 GBJ2510是一款广泛使用的整流桥芯片,其主要功能是将交流电(AC)转换为直流电(DC),从而为各种电子设备提供稳定的直流电源。作为整流桥,这款芯片的设计旨在提高电能转换效率,并确保电流的稳定性和安全性。由于其良好的技术参数和实际应用效果,GBJ2510已经成为许多电源设计中的理想选择。 GBJ2510主要用于电源适配器、充电器、家用电器、工业设备等领域,它在小型电源管理电路和高功率应用中都表现出色。其核心功能是将输入的AC电流整流为DC电流,并能够在一定范围内承受负载变化。 芯片GBJ2510的详细参数 GBJ2510芯片的具体参数对于其应用能够提供关键的依据。以下是GBJ2510的一些重要参数: 1. 峰值反向电压(V_RRM):GBJ2510的峰值反向电压为2500V,适用于高压应用。 2. 额定电流(I_F):该芯片的额定直流电流为10A,保证了在常...

产品型号GBJ2510的Datasheet PDF文件预览

GBJ25005 - GBJ2510  
25A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
·
Glass Passivated Die Construction  
High Case Dielectric Strength of 1500V  
GBJ  
RMS  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
29.70  
19.70  
17.00  
3.80  
7.30  
9.80  
2.00  
0.90  
2.30  
Max  
30.30  
20.30  
18.00  
4.20  
Low Reverse Leakage Current  
Surge Overload Rating to 350A Peak  
Ideal for Printed Circuit Board Applications  
L
Plastic Material - UL Flammability  
Classification 94V-0  
A
M
K
·
UL Listed Under Recognized Component  
Index, File Number E94661  
7.70  
B
D
G
H
I
10.20  
2.40  
S
N
_
J
1.10  
Mechanical Data  
P
J
2.70  
H
I
C
·
·
Case: Molded Plastic  
K
L
3.0 X 45°  
R
Terminals: Plated Leads, Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
4.40  
3.40  
3.10  
2.50  
0.60  
10.80  
4.80  
3.80  
3.40  
2.90  
0.80  
11.20  
M
N
P
·
·
·
·
·
Polarity: Molded on Body  
Mounting: Through Hole for #6 Screw  
Mounting Torque: 5.0 in-lbs Maximum  
Weight: 6.6 grams (approx)  
G
E
E
R
S
Marking: Type Number  
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics@ T = 25°C unless otherwise specified  
A
Single phase, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
GBJ GBJ  
25005 2501  
GBJ  
2502  
GBJ  
2504  
GBJ  
2506  
GBJ  
2508  
GBJ  
2510  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
280  
25  
V
A
Average Forward Rectified Output Current  
(Note 1)  
@ TC = 100°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3 ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
350  
A
Forward Voltage (per element)  
@ IF = 12.5A  
VFM  
IR  
1.05  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@TC = 25°C  
@ TC = 125°C  
10  
500  
µA  
I2t Rating for Fusing (t < 8.3ms) (Note 1)  
I2t  
Cj  
510  
85  
A2s  
pF  
Typical Junction Capacitance (per element) (Note 2)  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
RqJC  
Tj, TSTG  
0.6  
°C/W  
°C  
-65 to +150  
Notes:  
1. Non-repetitive, for t > 1ms and < 8.3 ms.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. Thermal resistance from junction to case per element. Unit mounted on 220 x 220 x 1.6mm aluminum plate heat sink.  
DS21221 Rev. D-2  
1 of 2  
GBJ25005-GBJ2510  
30  
100  
10  
Tj = 25°C  
with heatsink  
25  
20  
15  
1.0  
10  
5
0.1  
without heatsink  
Resistive or  
Inductive load  
0
Pulse width = 300µs  
0.01  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)  
Fig. 2 Typical Forward Characteristics (per element)  
TC, CASE TEMPERATURE (°C)  
Fig. 1 Forward Current Derating Curve  
1000  
Single half-sine-wave  
(JEDEC method)  
TJ = 25°C  
f = 1MHz  
400  
Tj = 25°C  
300  
200  
100  
10  
100  
0
1
1
100  
10  
1.0  
10  
100  
VR, REVERSE VOLTAGE (V)  
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz  
Fig. 3 Maximum Non-Repetitive Surge Current  
Fig. 4 Typical Junction Capacitance  
1000  
Tj = 150°C  
Tj = 125°C  
100  
Tj = 100°C  
10  
1.0  
Tj = 25°C  
0.1  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)  
Fig. 5 Typical Reverse Characteristics  
DS21221 Rev. D-2  
2 of 2  
GBJ25005-GBJ2510  
配单直通车
GBJ2510产品参数
型号:GBJ2510
生命周期:Contact Manufacturer
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.68
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