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| 型号: | GP200MHB12S |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | GEC PLESSEY SEMICONDUCTORS |
| 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 200 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1250 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| VCEsat-Max： | 2.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
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