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    • GS1002A图

    • 长荣电子

       该会员已使用本站14年以上
    • GS1002A
    • 数量1320 
    • 厂家 
    • 封装MSOP-8 
    • 批号19+ 
    • 现货
    • QQ:172370262QQ：172370262 复制
    • 754-4457500 QQ:172370262
    • GS1002A图

    • 深圳市隆鑫创展电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • GS1002A
    • 数量30000 
    • 厂家ADI 
    • 封装WLCSP6 
    • 批号2022+ 
    • 电子元器件一站式配套服务QQ:122350038
    • QQ:2355878626QQ：2355878626 复制
      QQ:2850299242QQ：2850299242 复制
    • 0755-82812278 QQ:2355878626QQ:2850299242
    • GS1002A图

    • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • GS1002A
    • 数量210 
    • 厂家GS 
    • 封装MSOP8 
    • 批号22+ 
    • ★只做原装★正品现货★原盒原标★
    • QQ:2355507168QQ：2355507168 复制
      QQ:2355507169QQ：2355507169 复制
    • 86-755-83219286 QQ:2355507168QQ:2355507169

    产品型号GS1002F的Datasheet PDF文件预览

    GS1000F - GS1010F  
    SURFACE MOUNT SILICON RECTIFIER DIODES  
    VOLTAGE RANGE: 50 - 1000V  
    CURRENT: 1.0 A  
    Features  
    For surface mounted applications  
    Low profile package  
    !
    !
    !
    !
    Ideal for automated placement  
    High temperaturesoldering : 260°C /10  
    seconds at terminals  
    B
    !
    Glass Passivated Chip Junction  
    C
    E
    Mechanical Data  
    SMAF  
    Dim Min Max Typ  
    !
    !
    Case: SMAF,Molded Plastic  
    Terminals: Solder Plated, Solderable  
    D
    A
    B
    C
    D
    E
    H
    L
    4.75 4.85  
    3.68 3.72  
    4.80  
    3.70  
    2.60  
    1.00  
    H
    per MIL-STD-750, Method 2026  
    Polarity:Color band denotes cathode end  
    Mounting Position:Any  
    2.57  
    2.63  
    !
    !
    !
    L
    0.097 1.03  
    1.38 1.42 1.40  
    0.13 0.17 0.15  
    0.63 0.67 0.65  
    Weight:0.0018 ounce, 0.064 grams  
    E
    All Dimensions in mm  
    A
    TA = 25ꢀC unless otherwise specified  
    Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
    For capacitive load, derate current by 20%.  
    Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
    Symbol  
    GS1000F GS1002F GS1003F GS1004F GS1006F GS1008F GS1010F  
    Characteristic  
    Unit  
    Marking  
    FA  
    FB  
    FD  
    FG  
    FJ  
    FK  
    FM  
    Maximum repetitive peak reverse voltage  
    VRRM  
    50  
    100  
    200  
    400  
    600  
    800  
    1000  
    700  
    V
    V
    Maximum RMS voltage  
    VRMS  
    35  
    50  
    70  
    140  
    200  
    280  
    400  
    420  
    600  
    560  
    800  
    Maximum DC blocking voltage  
    1000  
    100  
    VDC  
    V
    A
    Maximum average forward rectified current  
    I(AV)  
    1.0  
    25.0  
    1.1  
    at TA=65 C (NOTE 1)  
    Peak forward surge current  
    8.3ms single half sine-wave superimposed on  
    IFSM  
    A
    V
    rated load (JEDEC Method)  
    TL=25 C  
    VF  
    IR  
    Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A  
    Maximum DC reverse current  
    at rated DC blocking voltage  
    TA=25 C  
    10.0  
    50.0  
    µ
    A
    TA=125 C  
    pF  
    Typical junction capacitance (NOTE 2)  
    Typical thermal resistance (NOTE 3)  
    4
    CJ  
    RθJA  
    K/W  
    65  
    Operating junction and storage temperature range  
    TJ,TSTG  
    -50 to +150  
    C
    Note:  
    1.Averaged over any 20ms period.  
    2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
    3.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm)lead length,P.C.B. mounted  
    1 of 2  
    www.sunmate.tw  
    100  
    RATINGANDCHARACTERISTICCURVES  
    40  
    20  
    10  
    3.0  
    2.5  
    2.0  
    4.0  
    1.5  
    1.0  
    2.0  
    1.0  
    0.5  
    0
    0.4  
    0.2  
    0
    50  
    100  
    150  
    0.1  
    0.4  
    LEAD TEMPERATURE, OC  
    0.6  
    0.8  
    1.0  
    1.2  
    1.4  
    1.6  
    1.8  
    INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS  
    Fig.1FORWARDCURRENTDERATINGCURVE  
    Fig.2-TYPICALINSTANTANEOUSFORWARD  
    CHARACTERISTICS  
    100  
    100  
    50  
    10  
    TJ  
    = 25OC  
    O
    =125 C  
    T
    J
    20  
    10  
    1.0  
    O
    TJ=75 C  
    0.1  
    5
    2
    1
    O
    TJ=25 C  
    0.01  
    10  
    1000  
    0.1  
    1.0  
    100  
    REVERSE VOLTAGE, VOLTS  
    0.001  
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    100  
    PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE,%  
    Fig.4TYPICALJUNCTIONCAPACITANCE  
    Fig.3TYPICALREVERSECHARACTERISTICS  
    2 of 2  
    www.sunmate.tw  
    配单直通车
    GS1002FL产品参数
    型号:GS1002FL
    是否无铅：不含铅
    是否Rohs认证：符合
    生命周期：Active
    IHS 制造商：PAN JIT INTERNATIONAL INC
    包装说明：GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
    针数：2
    Reach Compliance Code：not_compliant
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.10.00.80
    风险等级：5.62
    Is Samacsys：N
    配置：SINGLE
    二极管元件材料：SILICON
    二极管类型：RECTIFIER DIODE
    JESD-30 代码：R-PDSO-F2
    元件数量：1
    端子数量：2
    最高工作温度：150 °C
    最低工作温度：-50 °C
    最大输出电流：1 A
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
    认证状态：Not Qualified
    最大重复峰值反向电压：200 V
    表面贴装：YES
    端子形式：FLAT
    端子位置：DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    Base Number Matches：1
    •  
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