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  • GS8321Z18AD-200IV图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • GS8321Z18AD-200IV
  • 数量6500000 
  • 厂家GSI 
  • 封装原厂原装 
  • 批号22+ 
  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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GS8321Z18AD-250T产品参数
型号:GS8321Z18AD-250T
是否无铅:含铅
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:GSI TECHNOLOGY
零件包装代码:BGA
包装说明:LBGA,
针数:165
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.B
风险等级:5.26
Is Samacsys:N
其他特性:IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE
JESD-30 代码:R-PBGA-B165
JESD-609代码:e0
长度:15 mm
内存密度:37748736 bit
内存集成电路类型:ZBT SRAM
内存宽度:18
功能数量:1
端子数量:165
字数:2097152 words
字数代码:2000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:
组织:2MX18
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LBGA
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.4 mm
最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:13 mm
Base Number Matches:1
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