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  • GT30J322图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 封装TO3PF 
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  • 深圳德田科技有限公司

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  • 0755-83254070 QQ:229754250
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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 0755-28767101 QQ:1327510916QQ:1220223788
  • GT30J322图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • GT30J322
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  • 厂家TOSHIBA/东芝 
  • 封装TO-3P(N)IS 
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配单直通车
GT30J322产品参数
型号:GT30J322
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Not Recommended
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.22
其他特性:HIGH SPEED
最大集电极电流 (IC):30 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):400 ns
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):75 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):400 ns
标称接通时间 (ton):300 ns
Base Number Matches:1
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