H26M11001BAR全新原装原理图各脚功能电路原理芯片引脚定义-中国IC网-芯三七

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深圳市捷诚方元电子科技有限公司
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深圳市润丰电子科技有限公司
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深圳市深美诺电子科技有限公司
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13751195054

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M C C

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21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

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H2 Series

THRU

H36 Series

Features

500 mW

Zener Diode

1.7 to 37.2 Volts

Low Leakage

Low Zener Impedance

High Reliability

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅ

Maximum Ratings

Symbol

P_D

Rating

Power dissipation

Rating

500

-55 to +150

Unit

T_J

Junction Temperature

^OC

T_STG

Storage Temperature Range

ꢈꢀ

10^-2

10^-3

10^-4

10^-5

10^-6

ꢉ

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10^-7

10^-8

Zener Voltage V _Z(V)

Fig.1 Zener current Vs. Zener voltage

DIMENSIONS

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ꢍꢍꢍꢆ

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M C C

H2 Series thru H36 Series

500

400

0.10

5mm

%/ C

0.08

2.5 mm

3 mm

0.06

0.04

Printed circuit board

100 180 1.6t mm

Quality: paper phenol

mV/ C

0.02

300

200

–10

–20

–30

–0.02

–0.04

–0.06

100

–40

–50

–0.08

–0.10

15 20 25 30

35 40

Ambient Temperature Ta ( C)

200

100

150

Zener Voltage V (V)

Fig.2 Temperature Coefficient Vs. Zener voltage

Fig.3 Power Dissipation Vs. Ambient Temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @25 C

MCC

PART NUMBER

ZENER VOLTAGE

V_Z@ I_ZT

TEST CURRENT

I_ZT

Dynamic Resistance

r_d(Max)

REVERSE CURRENT

_R(Max)

I_Z

VOLTS

Type

Grade

Min

Max

OHMS

VOLTS

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1.9

2.0

2.1

2.2

2.3

2.4

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2.6

2.7

2.8

2.9

3.0

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

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3.7

3.8

3.9

4.0

4.1

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4.3

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100

5.0

0.5

1.0

5.0

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M C C

H2 Series thru H36 Series

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @25°C

MCC

PART NUMBER

ZENER VOLTAGE

V_Z@ I_ZT

TEST CURRENT

I_ZT

Dynamic Resistance

r_d(Max)

REVERSE CURRENT

_R(Max)

V_R

VOLTS

Type

Grade

Min

Max

OHMS

VOLTS

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4.4

4.5

4.6

4.7

4.8

4.9

5.0

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4.5

4.6

4.7

4.8

4.9

5.0

5.1

5.2

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5.5

5.0

100

5.0

1.5

2.0

5.3

5.4

5.5

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5.7

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6.9

7.0

7.2

7.3

7.6

7.7

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8.3

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8.7

8.9

9.1

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9.5

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5.0

2.0

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2.0

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15.5

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19.7

20.4

21.1

H11

H12

H15

H16

H18

H20

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M C C

H2 Series thru H36 Series

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @25°C

MCC

PART NUMBER

ZENER VOLTAGE

V_Z@ I_ZT

TEST CURRENT

I_ZT

Dynamic Resistance

r_d(Max)

REVERSE CURRENT

_R(Max)

V_R

I_Z

VOLTS

Type

H22

Grade

Min

Max

2.0

OHMS

2.0

VOLTS

20.9

21.9

1.0

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22.3

22.9

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24.3

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26.2

27.2

28.2

29.2

30.2

31.2

32.2

33.2

34.2

35.3

36.4

22.6

23.3

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24.7

25.5

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28.6

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30.6

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32.6

33.6

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35.7

36.8

38.0

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2.0

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H24

H27

H30

H33

H36

21.0

23.0

25.0

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H26M31001HPR产品参数

型号:	H26M31001HPR
是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete
IHS 制造商：	SK HYNIX INC
包装说明：	FBGA-153
Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75
JESD-30 代码：	R-PBGA-B153
内存密度：	34359738368 bit
内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8
功能数量：	1
端子数量：	153
字数：	4294967296 words
字数代码：	4000000000
工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	4GX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
编程电压：	3.3 V
表面贴装：	YES
技术：	CMOS
端子形式：	BALL
端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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