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  • H5TC8G63AMR-RDC图
  • 深圳市欧瑞芯电子有限公司

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  • 厂家SKHYNIX 
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  • 原厂直供现货价优十年信誉保证每一片都来自原厂原装
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  • 深圳市芯达科技有限公司

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  • H5TC8G63AMR-RDC
  • 数量90000 
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  • 专营海力士内存全线品牌假一赔万原装进口货可开增值税发票
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  • H5TC8G63AMR-RDC图
  • 深圳市想亚微电子有限公司

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  • H5TC8G63AMR-RDC
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  • 厂家hynix海力士 
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配单直通车
H5TQ1G43AFR-H8C产品参数
型号:H5TQ1G43AFR-H8C
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SK HYNIX INC
包装说明:FBGA, BGA78,9X13,32
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84
最长访问时间:0.125 ns
最大时钟频率 (fCLK):667 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B78
内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:4
端子数量:78
字数:268435456 words
字数代码:256000000
组织:256MX4
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA78,9X13,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH
电源:1.5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
连续突发长度:4,8
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.305 mA
标称供电电压 (Vsup):1.5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1
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