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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 深圳市隆鑫创展电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市晨豪科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 进口原装原盘原标签假一赔十
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 原装正品,假一罚十
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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • ★只做原装★正品现货★原盒原标★
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 绝对原装正品全新进口深圳现货
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  • 深圳市鹏和科技有限公司

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  • 只做原装公司现货
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  • 深圳市亿智腾科技有限公司

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  • 假一赔十★全新原装现货★★特价供应★工厂客户可放款
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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市诚达吉电子有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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产品型号HIP6603BCBZ-TR5250的概述

HIP6603BCBZ-TR5250 芯片概述及详细参数分析 HIP6603BCBZ-TR5250 是一款由 Intersil(现为 Renesas Electronics 的一部分)所设计的高性能功率管理芯片。此芯片主要用于高效能的 DC-DC 转换器,广泛应用于各类电源模块、电子设备和工业控制...
配单直通车
HIP6603BECB产品参数
型号:HIP6603BECB
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INTERSIL CORP
零件包装代码:SOIC
包装说明:HLSOP, SOP8,.25
针数:8
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.84
高边驱动器:YES
接口集成电路类型:HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0
长度:4.89 mm
湿度敏感等级:2
功能数量:1
端子数量:8
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:
标称输出峰值电流:0.73 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:HLSOP
封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, LOW PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):240
电源:5/12,12 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.68 mm
子类别:MOSFET Drivers
最大供电电压:13.2 V
最小供电电压:10.8 V
标称供电电压:12 V
电源电压1-最大:12 V
电源电压1-分钟:5 V
表面贴装:YES
温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:3.9 mm
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