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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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HIP6603ECB产品参数
型号:HIP6603ECB
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INTERSIL CORP
零件包装代码:SOIC
包装说明:HLSOP, SOP8,.25
针数:8
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.78
高边驱动器:YES
接口集成电路类型:HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0
长度:4.89 mm
功能数量:1
端子数量:8
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:
标称输出峰值电流:0.73 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:HLSOP
封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, LOW PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5/12,12 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.68 mm
子类别:MOSFET Drivers
最大供电电压:12 V
最小供电电压:5 V
电源电压1-最大:13.2 V
电源电压1-分钟:10.8 V
电源电压1-Nom:12 V
表面贴装:YES
技术:MOS
温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1
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