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  • HM65V8512LTT-135图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市励创源科技有限公司

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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • HM65V8512LTT-135V图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 厂家HITACHI 
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HM65V8512LTT-12产品参数
型号:HM65V8512LTT-12
生命周期:Transferred
零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP2,
针数:32
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.63
Is Samacsys:N
最长访问时间:120 ns
其他特性:CE/AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
长度:20.95 mm
内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:PSEUDO STATIC RAM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:32
字数:524288 words
字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:512KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.3 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1
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