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  • HMC801LP3E图
  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 厂家ADI 
  • 封装QFN 
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  • QQ:2881614656
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 数量2255 
  • 厂家ADI 
  • 封装射频元件 
  • 批号21+ 
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  • 171-4729-9698(微信同号) QQ:97671959
  • HMC801LP3ETR图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 数量3000 
  • 厂家ADI 
  • 封装射频元件 
  • 批号21+ 
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  • HMC801LP3E图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • HMC801LP3E
  • 数量6328 
  • 厂家ADI-亚德诺 
  • 封装QFN-16 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥48.7元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • HMC801LP3ETR图
  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

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  • HMC801LP3ETR
  • 数量19496 
  • 厂家ADI 
  • 封装只做原装 
  • 批号23+ 
  • 原装现货假一赔万,原包原标,支持实单
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  • HMC801LP3ETR图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • HMC801LP3ETR
  • 数量660000 
  • 厂家Analog Devices Inc 
  • 封装16-VFQFN 裸露焊盘 
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
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配单直通车
HMC801LP3E产品参数
型号:HMC801LP3E
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:HITTITE MICROWAVE CORP
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.8
其他特性:TTL COMPATIBLE
标称衰减:15 dB
特性阻抗:50 Ω
构造:COMPONENT
最大输入功率 (CW):30 dBm
最大插入损耗:3.5 dB
JESD-609代码:e3
最大工作频率:10000 MHz
最小工作频率:
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
射频/微波设备类型:VARIABLE ATTENUATOR
端子面层:Matte Tin (Sn)
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