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HMU-65787N-9+产品参数
型号:HMU-65787N-9+
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:TEMIC SEMICONDUCTORS
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.79
Is Samacsys:N
最长访问时间:55 ns
I/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PDSO-J24
JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1
端子数量:24
字数:65536 words
字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:64KX1
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ24,.34
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL
电源:5 V
最大待机电流:0.02 A
最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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