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  • HY57V561620ET-HT图
  • 上海振基实业有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 长荣电子

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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HY57V561620F产品参数
型号:HY57V561620F
生命周期:Active
包装说明:TSOP2,
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.73
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G54
长度:22.22 mm
内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:54
字数:16777216 words
字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:16MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL
宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1
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