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HY5DU663222Q-5产品参数
型号:HY5DU663222Q-5
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SK HYNIX INC
零件包装代码:QFP
包装说明:LQFP, QFP100,.63X.87
针数:100
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92
Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:1 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PQFP-G100
长度:20 mm
内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:32
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:100
字数:2097152 words
字数代码:2000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:2MX32
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP
封装等效代码:QFP100,.63X.87
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:2.8 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm
自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.01 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.47 mA
最大供电电压 (Vsup):2.94 V
最小供电电压 (Vsup):2.66 V
标称供电电压 (Vsup):2.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:14 mm
Base Number Matches:1
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