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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • 集好芯城

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    • 深圳市创德丰电子有限公司

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    • 深圳市集创讯科技有限公司

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    • 深圳市宏世佳电子科技有限公司

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    • 深圳市创思克科技有限公司

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    产品型号HY638100J-20的Datasheet PDF文件预览

    HY638100 Series  
    128Kx8bit CMOS FAST SRAM  
    DESCRIPTION  
    The HY638100 is a high-speed 131,072 x 8-bits CMOS static RAM fabricated using Hyundai's high  
    performance CMOS process technology. This high reliability process coupled with high-speed circuit design  
    techniques, yields maximum access time of 15ns. The HY638100 has a data retention mode that  
    guarantees data to remain valid at a minimum power supply voltage of 2.0 volt. It is suitable for use in high-  
    density high-speed system applications.  
    FEATURES  
    BLOCK DIAGRM  
    ·
    ·
    ·
    Single 5V±10% Power Supply  
    High speed - 15/20/25ns(max.)  
    Low power consumption(Max.)  
    ROW DECODER  
    I/O1  
    A0  
    Mode  
    Operating 15ns  
    Conditions Current Units  
    MEMORY ARRAY  
    512x2048  
    150  
    140  
    40  
    mA  
    mA  
    mA  
    mA  
    uA  
    20/25ns  
    TTL  
    CMOS  
    Standby  
    A16  
    I/O8  
    2
    /CS  
    /OE  
    /WE  
    L
    500  
    ·
    Battery backup(L-part)  
    - 2.0V(min.) data retention  
    Fully static operation and Tri-state outputs  
    - No clock or refresh required  
    ·
    ·
    ·
    TTL compatible inputs and outputs  
    Standard pin configuration  
    - 32pin 400mil SOJ  
    - 32pin 400mil TSOP-II  
    PIN CONNECTION  
    PIN DESCRIPTION  
    Pin Name  
    /CS  
    /WE  
    Pin Function  
    Chip Select  
    A0  
    A1  
    A16  
    A15  
    A14  
    A13  
    /OE  
    I/O8  
    I/O7  
    Vss  
    Vcc  
    I/O6  
    I/O5  
    A12  
    A11  
    A10  
    A9  
    1
    2
    32  
    31  
    30  
    29  
    28  
    27  
    26  
    25  
    24  
    23  
    22  
    21  
    20  
    19  
    18  
    17  
    A2  
    3
    A3  
    4
    Write Enable  
    Output Enable  
    Adderss Input  
    Data Input/Output  
    Power(+5.0V)  
    Ground  
    /CS  
    I/O1  
    I/O2  
    Vcc  
    Vss  
    I/O3  
    I/O4  
    /WE  
    A4  
    5
    6
    /OE  
    7
    8
    A0~A16  
    I/O1~I/O8  
    Vcc  
    9
    10  
    11  
    12  
    13  
    14  
    15  
    16  
    Vss  
    A5  
    A6  
    A7  
    A8  
    SOJ/TSOP-II  
    ORDERING INFORMATION  
    Part No.  
    HY638100J  
    HY638100LJ  
    HY638100T2  
    Speed  
    15/20/25  
    15/20/25  
    15/20/25  
    Power  
    L-part  
    L-part  
    Package  
    SOJ  
    SOJ  
    TSOP-II  
    TSOP-II  
    HY638100LT2 15/20/25  
    This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
    responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
    Rev.02 / Dec.97  
    Hyundai Semiconductor  
    HY638100 Series  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATING (1)  
    Symbol  
    VCC, VIN, VOUT  
    TA  
    TSTG  
    PD  
    Parameter  
    Power Supply, Input/Output Voltage  
    Operating Temperature  
    Storage Temperature  
    Rating  
    -0.5 to 7.0  
    0 to 70  
    -65 to 150  
    1.0  
    Unit  
    V
    °C  
    °C  
    W
    Power Dissipation  
    IOUT  
    Data Output Current  
    50  
    mA  
    TSOLDER  
    Lead Soldering Temperature & Time  
    260 · 10  
    °C · sec  
    Note  
    1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent  
    damage to the device. This is stress rating only and functional operation of the device at these or  
    any other conditions above those indicated in the operational of this specification is not implied.  
    Exposure to absolute maximum rating conditions for extended period may affect reliability.  
    RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS  
    TA=0°C to 70°C  
    Symbol  
    VCC  
    VSS  
    VIH  
    VIL  
    Parameter  
    Supply Voltage  
    Ground  
    Input High Voltage  
    Input Low Voltage  
    Min.  
    4.5  
    0
    2.2  
    -0.5(1)  
    Typ  
    5.0  
    0
    -
    -
    Max.  
    5.5  
    0
    Vcc+0.5  
    0.8  
    Unit  
    V
    V
    V
    V
    Note  
    1. VIL = -3.0V for pulse width less than 10ns  
    TRUTH TABLE  
    /CS  
    H
    /WE  
    X
    /OE  
    X
    Mode  
    Standby  
    I/O Operation  
    Hi-Z  
    L
    L
    H
    H
    H
    L
    Output Disabled  
    Read  
    Hi-Z  
    DOUT  
    L
    L
    X
    Write  
    DIN  
    Note:  
    1. H=VIH, L=VIL, X=Don't care  
    Rev.02 / Dec.97  
    2
    HY638100 Series  
    DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
    Vcc = 5.0V±10%, TA = 0°C to 70°C, unless otherwise specified.  
    Symbol  
    IIL  
    ILO  
    Parameter  
    Input Leakage Current  
    Test Conditions  
    VSS < VIN < VCC  
    Min Typ Max  
    Unit  
    uA  
    uA  
    -2  
    -2  
    -
    -
    2
    2
    Output Leakage Current VSS < VOUT < VCC,  
    /CS = VIH or /OE = VIH or /WE = VIL  
    /CS = VIL, II/O = 0mA, 15ns  
    ICC1  
    ISB  
    Average Operating  
    Current  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    150  
    140  
    40  
    mA  
    mA  
    mA  
    Min. Duty Cycle = 100% 20/25ns  
    /CS = VIH, VIN=VIH or VIL Min. Cycle  
    TTL Standby Current  
    (TTL Inputs)  
    ISB1  
    CMOS Standby Current /CS > VCC-0.2V, VIN >  
    -
    -
    -
    -
    50  
    -
    2
    500  
    0.4  
    -
    mA  
    uA  
    V
    (CMOS Inputs)  
    Output Low Voltage  
    Output High Voltage  
    VCC-0.2V or VIN < 0.2V  
    IOL = 8.0mA  
    L
    VOL  
    VOH  
    IOH = -4.0mA  
    2.4  
    -
    V
    Note : Typical values are at Vcc = 5.0V, TA = 25°C  
    AC CHARACTERISTICS  
    Vcc = 5.0V±10%, TA = 0°C to 70°C, unless otherwise specified.  
    -15  
    -20  
    -25  
    Symbol  
    #
    Parameter  
    Unit  
    Min Max Min Max Min Max  
    READ CYCLE  
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    TRC  
    TAA  
    Read Cycle Time  
    Address Access Time  
    Chip Select Access Time  
    Output Enable to Output Valid  
    Chip Select to Output in Low Z  
    Output Enable to Output in Low Z  
    Chip Deselecting to Output in High Z  
    15  
    -
    -
    -
    15  
    15  
    7
    -
    -
    8
    8
    -
    20  
    -
    -
    -
    20  
    20  
    9
    -
    -
    9
    9
    -
    25  
    -
    -
    -
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    25  
    25  
    10  
    -
    TACS  
    TOE  
    TCLZ  
    TOLZ  
    TCHZ  
    -
    -
    -
    3
    3
    0
    0
    3
    3
    3
    0
    0
    3
    3
    3
    0
    0
    3
    -
    10  
    10  
    -
    TOHZ Out Disable to Output in High Z  
    TOH Output Hold from Address Change  
    WRITE CYCLE  
    10 TWC  
    11 TCW  
    12 tAW  
    13 tAS  
    14 tWP  
    15 tWR  
    16 tWHZ  
    17 tDW  
    18 tDH  
    19 tOW  
    Write Cycle Time  
    15  
    12  
    12  
    0
    12  
    2
    0
    8
    0
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    7
    -
    -
    -
    20  
    15  
    15  
    0
    15  
    2
    0
    9
    0
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    9
    -
    -
    -
    25  
    17  
    17  
    0
    17  
    2
    0
    10  
    0
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    10  
    -
    -
    -
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    Chip Select to End of Write  
    Address Valid to End of Write  
    Address Set-up Time  
    Write Pulse Width  
    Write Recovery Time  
    Write to Output in High Z  
    Data to Write Time Overlap  
    Data Hold from Write Time  
    Output Active from End of Write  
    3
    Rev.02 / Dec.97  
    3
    HY638100 Series  
    AC TEST CONDITIONS  
    Vcc = 5.0V±10%, TA = 0°C to 70°C, unless otherwise specified.  
    Parameter  
    Input Pulse Level  
    Input Rise and Fall Time  
    Input and Output Timing Reference Level  
    Output Load  
    Value  
    0V to 3.0V  
    3ns  
    1.5V  
    See below  
    AC TEST LOADS  
    Output Load (A)  
    Output Load (B)  
    (for tCHZ, tCLZ, tOHZ, tOLZ, tWHZ & tOW)  
    +5V  
    +5V  
    480 Ohm  
    480 Ohm  
    DOUT  
    DOUT  
    CL=30pF(1)  
    255 Ohm  
    CL=5pF(1)  
    255 Ohm  
    Note : Including jig and scope capacitance  
    CAPACITANCE  
    Temp = 25°C, f= 1.0MHz  
    Symbol  
    CIN  
    CI/O  
    Parameter  
    Input Capacitance  
    Input/Output Capacitance  
    Condition  
    VIN = 0V  
    VI/O = 0V  
    Max.  
    6
    8
    Unit  
    pF  
    pF  
    Note : This parameter is sampled and not 100% tested  
    Rev.02 / Dec.97  
    4
    HY638100 Series  
    TIMING DIAGRAM  
    READ CYCLE 1  
    tRC  
    ADDR  
    OE  
    tAA  
    tOE  
    tOH  
    tOLZ  
    CS  
    tACS  
    tCLZ  
    tOHZ  
    tCHZ  
    High-Z  
    Data  
    Out  
    Data Valid  
    Note (Read Cycle)  
    1. tCHZ and tOHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and are  
    not referenced to output voltage levels.  
    2. At any given temperature and voltage condition, tCHZ max. is less than tCLZ min. both for a given  
    device and from device to device.  
    3. /WE is high for read cycle.  
    READ CYCLE 2  
    tRC  
    ADDR  
    tAA  
    tOH  
    tOH  
    Data  
    Out  
    Previous Data  
    Data Valid  
    Note (Read Cycle)  
    1. /WE is high for read cycle.  
    2. Device is continuously selected /CS=VIL.  
    3. /OE=VIL.  
    Rev.02 / Dec.97  
    5
    HY638100 Series  
    WRITE CYCLE 1(/OE Clocked)  
    tWC  
    ADDR  
    OE  
    tAW  
    tCW  
    CS  
    tAS  
    tWR  
    tWP  
    WE  
    tDW  
    tDH  
    Data Valid  
    Data In  
    tOHZ  
    Data  
    Out  
    WRITE CYCLE 2(/OE Low Fixed)  
    tWC  
    ADDR  
    tAW  
    tCW  
    tWR  
    CS  
    tAS  
    tWP  
    WE  
    tDW  
    tDH  
    Data Valid  
    tOW  
    Data In  
    tWHZ  
    (8)  
    (7)  
    Data  
    Out  
    Rev.02 / Dec.97  
    6
    HY638100 Series  
    Notes(Write Cycle)  
    1. A write occurs during the overlap of a low /CS and a low /WE. A write begins at the latest transition  
    among /CS going low, and /WE going low : A write ends at the earliest transition among /CS going  
    high and /WE going high. tWP is measured from the beginning of write to the end of write.  
    2. tCW is measured from the later of /CS going low to end of write.  
    3. tAS is measured from the address valid to the beginning of write.  
    4. tWR is measured from the end of write to the address change. tWR applied in case a write ends as  
    /CS or /WE going high.  
    5. If /OE and /WE are in the read mode during this period, the I/O pins are in the output low-Z state,  
    inputs of opposite phase of the output must not be applied because bus contention can occur.  
    6. If /CS goes low simultaneously with /WE going low or after /WE going low, the outputs remain in high  
    impedance state.  
    7. DOUT is the same phase of latest written data in the write cycle.  
    8. DOUT is the read data of the new address.  
    DATA RETENTION ELECTRIC CHARACTERISTIC( L-Version )  
    TA=0°C to 70°C  
    Symbol  
    VDR  
    Parameter  
    Vcc for Data Retention /CS > Vcc - 0.2V  
    Test Conditions  
    Power Min  
    Typ Max Unit  
    2.0  
    -
    -
    V
    ICCDR  
    Data Retention urrent  
    Vcc = 3V, /CS > Vcc-0.2V  
    L
    -
    10  
    50  
    uA  
    Vin > Vcc – 0.2 or < 0.2V  
    See Data Retention Timing  
    Diagram  
    TCDR  
    TR  
    Chip Deselect to Data  
    Retention Time  
    Operating Recovery  
    Time  
    0
    -
    -
    -
    -
    ns  
    ns  
    tRC(2)  
    Notes  
    1. Typical values are at the condition of TA=25°C  
    2. tRC is read cycle time  
    DATA RETENTION WAVEFORM  
    DATA RETENTION MODE  
    VCC  
    4.5V  
    tCDR  
    tR  
    2.2V  
    VDR  
    CS>VCC-0.2V  
    CS  
    VSS  
    RELIABILITY SPEC.  
    TEST MODE  
    TEST SPEC.  
    ESD  
    HBM  
    MM  
    > 2000V  
    > 250V  
    LATCH - UP  
    < -100mA  
    > 100mA  
    Rev.02 / Dec.97  
    7
    HY638100 Series  
    PACKAGE INFORMATION  
    32pin 400mil Small Outline J-Form Package (J)  
    0.032(0.8128)  
    0.026(0.6604)  
    0.040(1.016)  
    0.030(0.762)  
    0.405(10.287)  
    0.395(10.033)  
    0.380(9.6520)  
    0.368(9.3472)  
    0.444(11.2776)  
    0.436(11.0744)  
    0.0098(0.2489)  
    0.0075(0.1905)  
    0.829(21.0566)  
    0.821(20.8534)  
    0.148(3.759)  
    0.138(3.505)  
    MAX.  
    MIN.  
    UNIT : INCH(mm)  
    0.050(1.27)  
    BSC  
    0.020(0.508)  
    0.016(0.406)  
    32pin 400mil Thin Small Outline Package (T2)  
    0.404(10.2620)  
    0.396(10.0580)  
    MAX.  
    UNIT : INCH(mm)  
    0.470(11.9380)  
    MIN.  
    0.462(11.7350)  
    0.829(21.0570)  
    0.822(20.8790)  
    GAGE PLANE  
    BASE PLANE  
    0-5  
    0.0235(0.5970)  
    0.0160(0.4060)  
    1.2700 BSC  
    (0.050)  
    0.017(0.4500)  
    0.012(0.3050)  
    SEATING PLANE  
    0.0059(0.1500)  
    0.0020(0.0500)  
    0.0038(0.2100)  
    0.0047(0.1200)  
    0.047(1.1940)  
    0.039(0.9910)  
    Rev.02 / Dec.97  
    8
    配单直通车
    HY638100J-20产品参数
    型号:HY638100J-20
    是否无铅： 含铅
    是否Rohs认证： 不符合
    生命周期：Obsolete
    IHS 制造商：SK HYNIX INC
    零件包装代码：SOJ
    包装说明：0.400 INCH, SOJ-32
    针数：32
    Reach Compliance Code：compliant
    ECCN代码：3A991.B.2.B
    HTS代码：8542.32.00.41
    风险等级：5.88
    Is Samacsys：N
    最长访问时间：20 ns
    I/O 类型：COMMON
    JESD-30 代码：R-PDSO-J32
    JESD-609代码：e0
    长度：20.96 mm
    内存密度：1048576 bit
    内存集成电路类型：STANDARD SRAM
    内存宽度：8
    功能数量：1
    端口数量：1
    端子数量：32
    字数：131072 words
    字数代码：128000
    工作模式：ASYNCHRONOUS
    最高工作温度：70 °C
    最低工作温度：
    组织：128KX8
    输出特性：3-STATE
    可输出：YES
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装代码：SOJ
    封装等效代码：SOJ32,.44
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    并行/串行：PARALLEL
    峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
    电源：5 V
    认证状态：Not Qualified
    座面最大高度：3.76 mm
    最大待机电流：0.002 A
    最小待机电流：4.5 V
    子类别：SRAMs
    最大压摆率：0.14 mA
    最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
    最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
    标称供电电压 (Vsup)：5 V
    表面贴装：YES
    技术：CMOS
    温度等级：COMMERCIAL
    端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
    端子形式：J BEND
    端子节距：1.27 mm
    端子位置：DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    宽度：10.16 mm
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
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    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
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