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  • 北京中其伟业科技有限公司

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HYB18H256321AF-12产品参数
型号:HYB18H256321AF-12
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:DSBGA
包装说明:TFBGA, BGA136,12X17,32
针数:136
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.62
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.22 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):550 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B136
长度:14 mm
内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM
内存宽度:32
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:136
字数:8192 words
字数代码:8000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:
组织:8KX32
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA136,12X17,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源:2 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES
连续突发长度:4,8
最大待机电流:0.27 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.805 mA
最大供电电压 (Vsup):2.1 V
最小供电电压 (Vsup):1.9 V
标称供电电压 (Vsup):2 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
宽度:11 mm
Base Number Matches:1
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